IGBT транзистори



Транзистор BT40T60ANF N канальний 80A 600V IGBT TO-3P
ХІТ

Транзистор BT40T60ANF N канальний 80A 600V IGBT TO-3P

Транзистор BT40T60ANF N канальний 80A 600V IGBT TO-3P - використовують для ремонту і виготовлення інверторів, безперебійних блоків живлення, зарядних пристроях і іншої силової техніки. ..

93.50 грн.

Транзистор CRG60T60AK3HD1 N канальний 120A 650V IGBT TO247
ХІТ

Транзистор CRG60T60AK3HD1 N канальний 120A 650V IGBT TO...

Транзистор CRG60T60AK3HD1 N канальний 120A 650V IGBT TO247 - використання власної конструкції HUAJING і вдосконаленої технології Stop (FS), що забезпечує чудову провідність і к..

115.00 грн.

Транзистор FGA25N120ANTD N канальний 50A 1200V IGBT TO-3P
ХІТ

Транзистор FGA25N120ANTD N канальний 50A 1200V IGBT TO-...

Транзистор FGA25N120ANTD N канальний 50A 1200V IGBT TO-3P - використовують для ремонту і виготовлення інверторів, безперебійних блоків живлення, зарядних пристроях і іншої силової технік..

120.00 грн.

Транзистор FGH60N60SFD N канальний 120A 600V IGBT TO247
ХІТ

Транзистор FGH60N60SFD N канальний 120A 600V IGBT TO247...

Транзистор FGH60N60SFD N канальний 120A 600V IGBT TO247 - використовують для ремонту та виготовлення інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являт..

120.00 грн.

Транзистор FGH75T65UPD N канальний 150A 650V IGBT TO247

Транзистор FGH75T65UPD N канальний 150A 650V IGBT TO247...

Транзистор FGH75T65UPD N канальний 150A 650V IGBT TO247 - при виготовленні цих транзисторів застосовують нову технологію Field Stop Trench IGBT від фірми Fairchild’s. Ця ..

200.00 грн.

Транзистор GW45HF60WD N канальний 70A 600V IGBT TO247
ХІТ

Транзистор GW45HF60WD N канальний 70A 600V IGBT TO247

Транзистор GW45HF60WD N канальний 70A 600V IGBT TO247 - використовують для ремонту інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являти собою гібрид пол..

115.00 грн.

Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальний 40A 1200V IGBT TO247
ХІТ

Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальний 40A 1200V IG...

Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальний 40A 1200V IGBT TO247 - використовують в мікрохвильових печах, резонансних перетворювачах, індукційних плитах та інших пристроях. IGBT транзистор ..

60.00 грн.

Транзистор H25R1203 (IHW25N120R3) N канальний 50A 1200V IGBT TO247

Транзистор H25R1203 (IHW25N120R3) N канальний 50A 1200V...

Транзистор H25R1203 (IHW25N120R3) N канальний 50A 1200V IGBT TO247 - використовують в мікрохвильових печах, резонансних перетворювачах, індукційних плитах та інших побутових та промислових пр..

65.00 грн.

Транзистор IKA15N60T (K15T60) N канальний 18.3A 600V IGBT TO220F

Транзистор IKA15N60T (K15T60) N канальний 18.3A 600V IG...

Транзистор IKA15N60T (K15T60) N канальний 18.3A 600V IGBT TO220F - ці швидкі транзистори застосовують в інверторах, кондиціонерах та іншій техніці. Характеризуються температурною ст..

38.00 грн.

Транзистор IRGP4063 N канальний 96A 600V IGBT TO247

Транзистор IRGP4063 N канальний 96A 600V IGBT TO247

Транзистор IRGP4063 N канальний 96A 600V IGBT TO247 - підходить для широкого діапазону частот перемикання завдяки низькому VCE (ON) і низьких комутаційних втратах, застосовують..

115.00 грн.

Транзистор IRGP4063D N канальний 96A 600V IGBT TO247
ХІТ

Транзистор IRGP4063D N канальний 96A 600V IGBT TO247

Транзистор IRGP4063D N канальний 96A 600V IGBT TO247 - використовують для ремонту та виготовлення інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являти с..

130.00 грн.

Транзистор IRGP50B60PD1 N канальний 75A 600V IGBT TO247

Транзистор IRGP50B60PD1 N канальний 75A 600V IGBT TO247...

Транзистор IRGP50B60PD1 N канальний 75A 600V IGBT TO247 - це 600-вольтовий транзистор, структури NPT IGBT з вбудованим антипаралельним 25-амперним HEXFRED® діодом. Транзистор входить до с..

125.00 грн.

Транзистор IXSH25N120A N канальний 50A 1200V IGBT TO247

Транзистор IXSH25N120A N канальний 50A 1200V IGBT TO247...

Транзистор IXSH25N120A N канальний 50A 1200V IGBT TO247 - це електронні компоненти від фірми IXYS виготовлені за технологією HDMOSTM другого покоління. Транзистори застосовують..

100.00 грн.

Транзистор JNG30N120HS2 N канальний 55A 1200V IGBT TO247

Транзистор JNG30N120HS2 N канальний 55A 1200V IGBT TO24...

Транзистор JNG30N120HS2 N канальний 55A 1200V IGBT TO247 - ці високовольтні транзистори забезпечують малі втрати та високу енергоефективність в таких пристроях: драйверах для двигунів, безпер..

87.00 грн.

Транзистор OST80N65HM N канальний 114A 650V IGBT TO247

Транзистор OST80N65HM N канальний 114A 650V IGBT TO247

Транзистор OST80N65HM N канальний 114A 650V IGBT TO247 - в цих транзисторах використовується передова запатентована передова технологія Oriental-Semi (TGBTTM). Ця технологія розробл..

200.00 грн.

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом 50A 330V IGBT TO-3P
ХІТ

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом 50A 330V IGBT T...

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом 50A 330V IGBT TO-3P - транзистори застосовують в різних схемах силової радіотехніки. Характеристики Максимальна напруга 330 В Максимальн..

70.00 грн.

Показано від 1 до 16 з 26 (всього сторінок: 2)

Асортимент категорії IGBT транзистори

IGBT транзистори. Переваги. Пристрій і робота. Сфера використання
В цей час в електроніці мають велику популярність IGBT транзистори. Розшифровується цю абревіатура з англійської мови - біполярний транзистор з ізольованим затвором. Транзистор застосовується як потужний електронний ключ для систем управління приводами електромеханізмів, в джерелах живлення, інверторах та інших пристроях.

IGBT транзистори поєднують в собі властивості біполярного і польового транзистора. Вони керуються шляхом подачі напруги на затвор, ізольований від ланцюга. Характерною властивістю цього транзистора є низька потужність управління, яка застосовується для перемикань потужних силових ланцюгів.
Найбільшою популярністю користуються IGBT в силових ланцюгах перетворювачів частоти та електродвигунів змінного струму потужністю до 1 МВт. За вольт-амперними властивостями ці транзистори аналогічні біполярним компонентам, але якість і чистота комутації у них набагато краща.

Сучасні технології виготовлення дають можливість оптимізувати транзистори за функціональними характеристиками. Уже розроблені напівпровідники, здатні працювати при більшій напрузі та величині струму.

В регуляторах швидкості застосовуються IGBT транзистори з робочою частотою в декілька десятків кГц.

Переваги

  • Проста паралельна схема.
  • Відсутність втрат.
  • Підвищена щільність струму.
  • Стійкість до замикань.
  • Малі втрати у відкритому стані.
  • Можливість функціонування при високій температурі (вище 100 º С).
  • Використання з напругою (вище 1 кВ) та потужностями (понад 5 кВт).

При проєктуванні схем підключення з транзисторами потрібно мати на увазі, що існує обмеження по найбільшому струму. Для цього застосовують різні способи:

  • Правильний підбір струму захисту.
  • Вибір опору затвора.
  • Використання обхідних шляхів комутації.

Пристрій і робота

В середині IGBT транзистор містить каскад двох електронних ключів, керуючих кінцевим виходом.

Принцип дії транзистора полягає у двох етапах:

  1. При подачі напруги плюсового потенціалу між витоком і затвором польовий транзистор відкривається, з'являється n-канал між стоком і витоком.
  2. Починається рух заряджених електронів з n-області в р-область, внаслідок чого відкривається транзистор. В результаті цього від емітера до колектора протікає електричний струм.


IGBT транзистори служать для наближення струмів замикання до безпечного значення. Вони обмежують напругу затвора наступними методами:

  • За допомогою прив'язки до певного значення напруги. Це досягається тоді, коли драйвер затвора має постійну напругу. Головним способом є додавання в схему діода, що має мале падіння напруги (діод Шоттки). Значний ефект виходить шляхом зменшення індуктивності ланцюга затвора і живлення.
  • Обмеження значення напруги затвора шляхом використання стабілітрона в схемі затвора й емітера. Непогана ефективність виходить шляхом установки діодів до додаткових клем модуля. Діоди застосовуються з малим допуском і температурною залежністю.
  • Підключення в ланцюг негативного зворотного зв'язку емітера. Такий спосіб доступний, коли підключений емітер драйвера затвора до клем емітера модуля.


Сфера використання

IGBT транзистори найчастіше працюють в мережах високої напруги до 6,5 кВт для надійної та безпечної роботи електроустановок в аварійному режимі при коротких замиканнях.

Перераховані вище властивості транзисторів дають можливість використовувати їх в регуляторах частоти, інверторах, імпульсних регуляторах струму, а також у зварювальних апаратах.

Також IGBT застосовуються в системах потужних приводів управління електровозів, тролейбусів. Це підвищує ККД і створює підвищену плавність ходу.

Силові транзистори широко використовуються в ланцюгах високої напруги. Вони входять до складу схем посудомийних машин, побутових кондиціонерів, автомобільного електронного запалювання, блоків живлення телекомунікаційного обладнання.

Перевірка справності
IGBT транзистори перевіряються у випадках ремонту електричного пристрою. Перевірку проводять за допомогою мультитестера шляхом продзвонювання електродів емітера і колектора у двох напрямках, щоб перевірити відсутність замикання. Ємність входу емітер-затвор необхідно зарядити мінусовою напругою. Це робиться короткочасним дотиком щупа мультиметра «СОМ» затвора і щупа «V / Ω / f» емітера.

Щоб зробити перевірку, потрібно переконатися, чи працює в нормальному режимі транзистор. Для цього зарядимо ємність на вході емітер-затвор плюсовою напругою. Це робиться коротким дотиком щупа «V / Ω / f» затвора, а щупа «СОМ» емітера. Контролюється різниця потенціалів емітера і колектора, яка не повинна перевищувати 1,5 В. Якщо напруги тестера не вистачить для відкривання транзистора, то вхідну ємність можна зарядити від живлення напругою 15 В.

IGBT модулі
Силові транзистори виготовляють не тільки у вигляді окремих компонентів, але й у вигляді модулів. Такі модулі входять до складу частотних перетворювачів для управління електромоторами.

IGBT транзистори нормально функціонують при робочій частоті до 50 кГц. Якщо частоту підвищувати, то підвищуються і втрати. Свої можливості силові транзистори виявляють максимально при напрузі вище 400 В. Тому такі транзистори часто зустрічаються в потужних електричних приладах високої напруги, а також в промисловому обладнанні.

Історії виникнення
Польові транзистори стали з'являтися в 1973 році. Потім розробили складовий транзистор, який оснастили керованим транзистором за допомогою польового напівпровідника з затвором.

Перші силові транзистори мали недоліки, що виражалися в повільному перемиканні, низькою надійністю. Після 90 років і по теперішній час ці недоліки усунуті. Силові напівпровідники мають підвищений вхідний опір, малий рівень керуючої потужності, малий показник залишкової напруги.

Зараз існують моделі транзисторів, здатних комутувати струм до декількох сотень ампер, з робочою напругою в тисячі вольтів.

Розгорнути