Польові транзистори



Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO92

Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO...

Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO92 - застосовують в підсилювачах звуку загального призначення та комутації аналогових сигналів. Основні параметри Позначен..

11.80 грн.

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO92
ХІТ

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO...

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO92 - підсилювач загального призначення. Цей пристрій розроблено в першу чергу для звуку низького рівня та призначений для..

5.90 грн.

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A 60V SOT23
ХІТ

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A...

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A 60V SOT23 - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення з безтрансформаторним входом, в регуляторах, стабіл..

1.90 грн.

Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний 20A 60V TO263
ХІТ

Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний 20A 60V TO263

Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний 20A 60V TO263 - цей компонент застосовують в DC-DC конвертерах та різноманітних блоках живлення. Характеристики Позначення на корпусі&n..

29.00 грн.

Транзистор 2SK2500 MOSFET N канальний 110A 55V TO-3P
ХІТ

Транзистор 2SK2500 MOSFET N канальний 110A 55V TO-3P

Транзистор 2SK2500 MOSFET N канальний 110A 55V TO-3P - використовується в автомобільній електроніці для регулювання обертів вентилятора в системах опалення автомобілів, часто зустрі..

87.00 грн.

Транзистор 2SK2543 MOSFET N канальний 8A 500V TO220F

Транзистор 2SK2543 MOSFET N канальний 8A 500V TO220F

Транзистор 2SK2543 MOSFET N канальний 8A 500V TO220F - застосовують ці високовольтні польові транзистори в виробах загального призначення. Технічні характеристики транзистора По..

23.50 грн.

Транзистор 2SK2611 MOSFET N канальний 9A 900V TO-3PB
ХІТ

Транзистор 2SK2611 MOSFET N канальний 9A 900V TO-3PB

Транзистор 2SK2611 MOSFET N канальний 9A 900V TO-3PB - застосовується як силовий ключ в різних пристроях в імпульсних блоках живлення, інверторах напруги, в тому числі у зварювальних апа..

58.00 грн.

Транзистор 2SK2698 MOSFET N канальний 15A 500V TO-3P

Транзистор 2SK2698 MOSFET N канальний 15A 500V TO-3P

Транзистор 2SK2698 MOSFET N канальний 15A 500V TO-3P - ці транзистори застосовують в перетворювачах постійного струму, релейних приводах, для керування двигунами. Характеристики Позн..

50.00 грн.

Транзистор 2SK2842 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F

Транзистор 2SK2842 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F

Транзистор 2SK2842 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F - призначений для використання в імпульсних джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах. ..

28.00 грн.

Транзистор 2SK30A MOSFET N канальний 0.01A 50V JFET TO92
ХІТ

Транзистор 2SK30A MOSFET N канальний 0.01A 50V JFET TO9...

Транзистор 2SK30A MOSFET N канальний 0.01A 50V JFET TO92 - це малопотужний польовий транзистор з N-каналом призначений роботи в попередніх каскадах підсилення, вимірювальних та пере..

15.00 грн.

Транзистор 2SK3271 MOSFET N канальний 100A 60V TO-3P

Транзистор 2SK3271 MOSFET N канальний 100A 60V TO-3P

Транзистор 2SK3271 MOSFET N канальний 100A 60V TO-3P - використовується в різноманітних джерелах живлення, в схемах де потрібне швидке перемикання. Часто можна зустріти в пристроях які к..

85.00 грн.

Транзистор 2SK3313 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F

Транзистор 2SK3313 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F

Транзистор 2SK3313 MOSFET N канальний 12A 500V TO220F - призначений для використання в імпульсних джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах та перетворювача..

28.70 грн.

Транзистор 2SK3569 MOSFET N канальний 10A 600V TO220F

Транзистор 2SK3569 MOSFET N канальний 10A 600V TO220F

Транзистор 2SK3569 MOSFET N канальний 10A 600V TO220F - призначені для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах, перетворювачах і зарядних п..

28.00 грн.

Транзистор 2SK3607-01MR MOSFET N канальний 18A 200V TO220F

Транзистор 2SK3607-01MR MOSFET N канальний 18A 200V TO2...

Транзистор 2SK3607-01MR MOSFET N канальний 18A 200V TO220F - призначений для використання в імпульсних джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, електромагнітних приводах, ..

26.30 грн.

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний 10A 700V TO220F
ХІТ

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний 10A 700V TO220F

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний 10A 700V TO220F - призначений для безперебійних блоків живлення, стабілізаторів напруги та інших силових схем. Технічні характеристики транзистор..

50.00 грн.

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний Toshiba 9A 900V TO-3P
ХІТ

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний Toshiba 9A 900V T...

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний Toshiba 9A 900V TO-3P - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах, схемах у..

60.00 грн.

Показано від 1 до 16 з 239 (всього сторінок: 15)

Асортимент категорії Польові транзистори

Польові транзистори: пристрій, принцип і режими роботи, типи, схеми включення

Польовими транзисторами називаються напівпровідникові радіокомпоненти, які використовуються для підсилення електричного сигналу. У цифрових пристроях схеми на основі цих транзисторів виконують функції ключів, керуючих перемиканнями логічних елементів. В останньому випадку застосування польових транзисторів є вкрай вигідним з точки зору мініатюризації апаратури. Це обумовлено тим, що для управління цими радіокомпонентами потрібні невеликі потужності, внаслідок чого на одному кристалі напівпровідникової мікросхеми можна розміщувати десятки тисяч транзисторів.

Напівпровідниковою сировиною для виготовлення польових транзисторів є такі матеріали:

  • карбід кремнію;
  • арсенід галію;
  • нітрид галію;
  • фосфід індію.


Пристрій і принцип роботи польового транзистора.

Польові транзистори складаються з трьох елементів - витоку, стоку і затвора. Функції перших двох очевидні та полягають відповідно в генеруванні та прийомі носіїв електричного заряду, тобто електронів або дірок. Призначення затвора полягає в управлінні струмом, що протікає через польовий транзистор. Таким чином, ми отримуємо класичний тріод з катодом, анодом і керуючим електродом.

У момент подачі напруги на затвор, виникає електричне поле, що змінює ширину p-n переходів і впливає на величину струму, який протікає від витоку до стоку. При відсутності керуючої напруги ніщо не перешкоджає потоку носіїв заряду. З підвищенням напруги, що управляє каналом, по якому рухаються електрони або дірки, звужується, а при досягненні якогось граничного значення зовсім перекривається, і транзистор входить в так званий режим відсічення. Якраз ця властивість польових транзисторів і дозволяє використовувати їх як ключі.

Підсилювальні властивості радіокомпонента обумовлені тим, що потужний електричний струм, що протікає від витоку до стоку, повторює динаміку напруги, що прикладається до затвора. Іншими словами, з виходу підсилювача знімається такої ж за формою сигнал, що і на керуючому електроді, тільки набагато більшої потужності.


Поширені типи польових транзисторів.

В цей час в радіоапаратурі застосовуються польові транзистори двох основних типів - з керуючим p-n переходом і з ізольованим затвором. Опишемо докладніше кожну модифікацію.

1. Керуючий p-n перехід.
Ці польові транзистори є видовжений напівпровідниковий кристал, протилежні кінці якого з металевими виводами грають роль стоку і витоку. Функцію затвора виконує невелика зона зі зворотною провідністю, впроваджена в центральну частину кристала. Так само як стік і витік, затвор комплектується металевими виводами.

Електронно-дірковий p-n перехід в таких польових транзисторах отримав назву керуючого, оскільки безпосередньо змінює потужність потоку носіїв заряду, становить собою фізичну перешкоду для електронів або дірок (в залежності від типу провідності основного кристала).

2. Ізольований затвор.
Конструкція цих польових транзисторів відрізняється від описаних вище з керуючим p-n переходом. Тут напівпровідниковий кристал грає роль підкладки, в яку на деякій відстані один від одного впровадили дві зони зі зворотною провідністю. Це витік і стік відповідно. Функцію затвора виконує металевий вивід, який відокремлюється від кристала шаром діелектрика і, таким чином, електрично з ним не контактує.

Через те, що в конструкції цих польових транзисторів використовуються три типи матеріалів - метал, діелектрик і напівпровідник, - дані радіокомпоненти часто називають МДН транзисторами. В елементах, які формуються в кремнієвих мікросхемах планарно-епітаксійними методами, як діелектричний шар використовується оксид кремнію, у зв'язку з чим буква «Д» в абревіатурі замінюється на «О», і такі компоненти отримують назву МОН транзисторів.

Існує два види цих польових транзисторів - з індукованим і вбудованим каналом. У перших фізичний канал відсутній і виникає тільки в результаті впливу електричного поля від затвора на підкладку. По-друге, канал між витоком і стоком фізично вмонтований в підкладку, і напруга на затворі потрібна не для формування каналу, а лише для управління його характеристиками.

Схемотехнічні переваги польових транзисторів з ізольованим затвором перед транзисторами з керуючим p-n переходом полягає в вищому вхідному опорі. Це розширює можливості застосування даних елементів. Наприклад, вони використовуються в високоточних пристроях та іншій апаратурі, критичною до електричних режимів.

В силу конструктивних особливостей МОН транзистори надзвичайно чутливі до зовнішніх електричних полів. Це змушує дотримуватися особливих застережних заходів при роботі з цими радіодеталями. Зокрема, в процесі пайки необхідно використовувати паяльну станцію із заземленням, а, крім того, заземлюватися повинен і працівник, який виконує пайку. Навіть малопотужна статична електрика здатна пошкодити польовий транзистор.


Схеми включення польових транзисторів.

Залежно від того, яким чином польовий транзистор включається в підсилювальний каскад, існує три схеми - із загальним витоком, із загальним стоком і з загальним затвором. Способи розрізняються тим, на які електроди подаються живлять напруги, і до яких контактів приєднуються джерело сигналу і навантаження.

  • Схема із загальним витоком використовується найчастіше, через те, що саме в цьому випадку досягається максимальне підсилення вхідного сигналу.
  • Спосіб включення польового транзистора із загальним стоком використовується, головним чином, в пристроях узгодження, оскільки підсилення тут невелике, але вхідний і вихідний сигнали збігаються по фазі.
  • І, нарешті, схема із загальним затвором знаходить застосування, в основному, у високочастотних підсилювачах. Смуга пропускання при такому включенні польового транзистора набагато ширше, ніж при інших схемах.

Розгорнути