to-220

Транзистор IRF640N MOSFET N канал

Артикул: 00166

КОРОТКИЙ ОПИС

N-Channel MOSFET 200V, 18A, 0.15Ω

8.60 грн.

Залишок: 48 шт.

48 в наявності

Додати до списку відкладеного
Додати до списку відкладеного
8.60
грн.
x
шт.
=
грн.

Транзистор

Транзистор IRF640N MOSFET N канал – він є силовим польовим транзистором від компанії International Rectifier. Транзистор з ізольованим затвором і каналом n-типу випускається в корпусі TO220AB, і кріпиться на радіатор. Напівпровідниковий прилад виготовлений на основі кремнію, між витоком і стоком вбудований захисний діод. Пристрій має низький тепловий опір, і володіє швидким перемиканням. Серед основних характеристик: рівень розсіяної потужності 150 W, напруга пробою стік-витік 200 V, постійний струм стоку 18 A. Підвищена міцність конструкції, і надійність сприяють застосуванню польового транзистора в різних пристроях.

Особливості:

  • Швидкісне перемикання;
  • Мінімальна розсіює потужність;
  • Малий заряд затвора;
  • Усередині польового транзистора розміщений захисний діод;

Технічні характеристики

  • Полярність транзистора N-Channel
  • Напруга пробою стік-витік 200V
  • Напруга пробою затвор-витік +/- 20 V
  • Безперервний струм стоку 18 A
  • Опір стік-витік (RDS), вкл. 150mOhm
  • конфігурація Single
  • Максимальна робоча температура + 175 °C
  • Вид монтажу Наскрізний отвір
  • Час спаду 5.5 ns
  • Крутизна в прямому напрямку, gFS (макс. / Хв.) 6.8 S
  • Заряд затвора, Qg 44.7 nC
  • Мінімальна робоча температура – 55 °C
  • Розсіювання потужності 150 W
  • Час наростання 19 ns
  • Типовий час затримки вимкнення: 23 ns
  • RoHS Сумісне
  • Корпус TO-220AB

ВиробникInternational Rectifier (IR)

Додаткова інформація

Виробник

International Rectifier (IR)

Корпус

TO220-3

Відгуки

Відгуків немає, поки що.

Будьте першим, хто залишить відгук “Транзистор IRF640N MOSFET N канал”