Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric

Історія Mitsubishi - це історія гігантської корпорації, що склала славу Японії.

Витоки компанії Mitsubishi тягнуться до 1870 року, коли Ятаро Івасакі організував судову компанію Tsukumo Shokai. Тоді вперше з'явилася емблема Mitsubishi - поєднання трьох ромбів як комбінація гербового символу сім'ї Івасакі та герба клану Яманучі, що являє собою трилисник дуба. У 1885 році в результаті політичної боротьби Ятаро Івасакі втратив контроль над своєю компанією і Mitsubishi об'єдналася з Nippon Yusen (NYK Line). Втративши судноплавну компанію, Ятаро заснував кілька паралельних компаній, які стали основою майбутньої корпорації Mitsubishi: банківська справа (сьогодні Mitsubishi Bank), складно-транспортна компанія, шахти з видобутку вугілля та міді, суднобудівна верф, страховий бізнес (сьогодні Tokio Marine and Fire).

У 1890 році з метою розвитку комерції компанія придбала болотисту місцевість у 30 гектарів поряд з імператорським палацом, Маруноучі, сьогодні цей район - діловий центр Токіо. У 1893 році син засновника компанії, Хіса Івасакі розділив Mitsubishi на ряд напівавтономних відділень: банківська справа, маркетинг, вугледобувні шахти, металовидобування, нерухомість, суднобудування та адміністрування. Ним були вперше засновані такі компанії, як Mitsubishi Paper Mills, Asahi Glass, Mitsubishi Cable Industies. Велике значення компанія приділяла етичності ведення бізнесу та благодійності. Хисая Івасакі передав у дар Токіо два найдорожчі японські парки, а також заснував бібліотеку національного прикладного мистецтва. 1916 - 1945 р. р. - це роки правління Коята Івасакі, які стали ключовими у формуванні японської індустрії. У цей час напівавтономні відділення Mitsubishi стали окремими юридичними компаніями: Mitsubishi Heavy Industries, Mitsubishi Corporation, Mitsubishi Bank, Mitsubishi Electric, Mitsubishi Estate. Крім того, з'явилися нові компанії корпорації Mitsubishi: Nikon, Mitsubishi Trust and Banking, Mitsubishi Oil, Mitsubishi Steel, Mitsubishi Kakoki, Mitsubishi Rayon, Mitsubishi Chemical. Відділення адміністрації компанії стало холдингом, який керує всіма організаціями Mitsubishi.

У 1937 році Mitsubishi стала акціонерною компанією відкритого типу та її акції були випущені у продаж. Після Другої світової війни політика окупаційної влади була спрямована на знищення японських фінансових та промислових монополій. Це торкнулося і корпорації Mitsubishi. У жовтні 1946 року холдингова компанія Mitsubishi припинила своє існування і розділилася на сотні незалежних підприємств, які намагалися самостійно вижити в атмосфері післявоєнного часу. Компаніям було заборонено використовувати ім'я та логотип Mitsubishi. Геополітика змінилася у 50-х роках. Після Конференції про мир у Сан-Франциско, де Японія відновила довгоочікуваний мир із міжнародним співтовариством, було ухвалено рішення про відновлення існування деяких монополістичних індустріальних груп. І на індустріальному ринку знову з'явилася торгова марка Mitsubishi з трьома ромбами. У 1954 році кілька підприємств, що були раніше частиною торгового дому Mitsubishi Corporation, знову злилися в холдингову компанію. 50-ті та 60-ті роки 20 століття були ознаменовані нечуваним зростанням економіки Японії, і розвиток Mitsubishi став відображенням загальних національних процесів. Новою галуззю розвитку стала енергетики та матеріалознавство, з'явилися такі компанії, як Mitsubishi Petrochemical, Mitsubishi Atomic Power Industries, Mitsubishi Petroleum Gas. Прагнення завжди бути на чолі технологічної революції змусило компанію звернутися до освоєння нових областей, зокрема космічної промисловості, авіації, океанології, комунікацій, комп'ютерної індустрії та напівпровідникової промисловості. Провідні положення компанія зайняла у виробництві товарів народного споживання та сфери послуг. Основною філософією компанії Mitsubishi завжди було забезпечення найвищої якості життя людей у ​​всіх її сферах та проявах.

Компанія Mitsubishi Electric була заснована 15 січня 1921 року. Продукція Mitsubishi Electric охоплює такі великі ринки електроніки, як обладнання для космічних та супутникових технологій, напівпровідникова промисловість, пристрої передачі та відображення інформації, побутова електроніка, обладнання для промислової автоматизації, будівельне обладнання, силова електроніка для транспортної промисловості.

Відділення напівпровідників компанії Mitsubishi Electric представляє наступний асортимент:

1. Системи на кристалі. Передова технологія HyperDRAM 0,25 мкм і менше дозволила об'єднати на одному кристалі логічні функції, MPU і DRAM пам'ять. Виробництво вбудовуваної DRAM пам'яті Mitsubishi перевищує сумарні кількості всіх інших виробників.

2. Мікросхеми. До цієї групи входять мікросхеми для драйверів електродвигунів, мікросхеми звукових процесорів, стандартні лінійні мікросхеми, мікросхеми обробки відеосигналу, ПЗС матриці, мікросхеми з оптичним інтерфейсом, індустріальні біполярні мікросхеми, мікросхеми частотних синтезаторів.

3. Мікросхеми пам'яті. Mitsubishi входить до десятка світових виробників DRAM-пам'яті (індустріальні стандарти PC100, PC133, DDR SDRAM, RDRAM та ін.). Розробники компанії вперше об'єднали на одному кристалі DRAM, SRAM і логіку, а також 3DRAM архітектуру. Також компанія входить до п'ятірки основних виробників малопотужної SRAM пам'яті.

4. Мікропроцесори та мікроконтролери. Mitsubishi є лідером ринку мікроконтролерів, які використовуються в контрольному устаткуванні, автомобільній промисловості, побутовій техніці та ринку комунікацій. Компанія випускає 4-, 8-, 16-, 32-бітові контролери. Найпопулярнішою стала платформа М16С, що відрізняється сучасною архітектурою, розвиненою периферією, високою швидкодією, наявністю версій з флеш пам'яттю і розширеним температурним діапазоном. Також, випускаються контролери з CAN-інтерфейсом.

5. НВЧ/ВЧ компоненти на основі кремнію та арсеніду галію (GaAs) відрізняються новизною дизайнерських рішень, розширеними частотними характеристиками, високою інтеграцією та підвищеною ефективністю. Кремнієві транзистори ВЧ представлені виробами з різною вихідною потужністю (від 0.2 до 100 Вт), розрахованими на роботу в діапазоні частот від 30 до 1650 МГц. Номенклатура кремнієвих ВЧ гібридних підсилювальних модулів налічує близько 300 найменувань. Модулі являють собою функціонально закінчені вироби, що широко використовуються в сучасній портативній і мобільній апаратурі зв'язку, що працює в різних стандартах (GSM, DAMPS, E-TACS, NMT, TETRA та ін.) з частотною (FM), амплітудної (AM) і односмуговою (SSB) модуляцією або фазовою маніпуляцією (PSK) сигналу. Випускаються модулі з вихідною потужністю від 1.5 до 60 Вт в діапазоні частот від 54 до 1650 МГц при напрузі живлення від 6 до 12.5 В. Малошумні GaAs транзистори були спеціально розроблені для використання у вхідних каскадах підсилювачів, змішувачів та генераторів НВЧ діапазону. Вони чудово зарекомендували себе при роботі в малошумливих та надмалошумних блоках НВЧ конвертерів супутникового ТБ мовлення, у високочастотних блоках наземних та супутникових систем телекомунікацій та зв'язку, а також у низці інших пристроїв НВЧ техніки діапазону 0.5 … 20 ГГц. Малошумні транзистори представлені двома групами: польові транзистори та транзистори з високою рухливістю електронів. Потужні (0.2 ... 100 Вт) польові GaAs транзистори розділені на дві групи: широкосмугові (внутрішньо неузгоджені) з номінальною вихідною потужністю від 0.2 до 45 Вт та потужні вузькосмугові (внутрішньо узгоджені) транзистори. Вони призначені для роботи в діапазоні від 0.5 до 16 ГГц. Основна сфера їх застосування - використання в передкінцевих і кінцевих каскадах НВЧ підсилювачів потужності різного призначення. Зокрема, вони широко використовуються в наземних та супутникових системах телекомунікацій та зв'язку, у портативних радіолокаторах та низці інших пристроїв НВЧ техніки.

6. Оптоелектроніка. Компанія пропонує широкий асортимент оптоелектронних компонентів для SDH, SONET, DWDM мереж, пасивних оптичних мережевих систем, а також моніторинговий інструментарій. Група оптичних модулів представлена ​​лазерними модулями, детекторами, інтегрованими оптичними приймачами/передавачами. SDH/SONET передавачі та приймачі Mitsubishi мають найвищу швидкість передачі даних. Група дискретних оптичних пристроїв представлена ​​лазерами, детекторами, LD драйверами, мультиплексорами та демультиплексорами.

7. Силова електроніка: потужні діоди, тиристори, транзистори, силові модулі, у тому числі й інтелектуальні, напівпровідникові датчики, транзисторні зборки. Випускаються силові модулі з вихідною потужністю 100 Вт - 10 МВт і робочою напругою 230 - 660 В. Силові компоненти Mitsubishi використовуються як в індустріальному, так і побутовому обладнанні.

8. TFT/LCD модулі.