Транзистори



Транзистор 2N2222A біполярний 0.8A 30V TO92 NPN
ХІТ

Транзистор 2N2222A біполярний 0.8A 30V TO92 NPN

Транзистор 2N2222A біполярний 0.8A 30V TO92 NPN -  високочастотний перемикаючий. Використовується в схемах підсилення постійного струму. Тип приладу вказується на корпусі. О..

1.50 грн.

Транзистор 2N2907A біполярний 0.6A 60V PNP TO92

Транзистор 2N2907A біполярний 0.6A 60V PNP TO92

Транзистор 2N2907A біполярний 0.6A 60V PNP TO92 - це високочастотний кремнієвий транзистор, його застосовують в різноманітних підсилювальних та перемикаючих схемах, а також у схемах зага..

1.50 грн.

Транзистор 2N3904 біполярний 0.2A 40V TO92 NPN
ХІТ

Транзистор 2N3904 біполярний 0.2A 40V TO92 NPN

Транзистор 2N3904 біполярний 0.2A 40V TO92 NPN - призначені для застосування в імпульсних і перемикаючих пристроях. Тип приладу вказується на корпусі. Основні параметри Тип матеріалу..

1.70 грн.

Транзистор 2N3906 біполярний 0.2A 40V PNP TO92
ХІТ

Транзистор 2N3906 біполярний 0.2A 40V PNP TO92

Транзистор 2N3906 біполярний 0.2A 40V PNP TO92 - призначений для застосування в імпульсних і перемикаючих пристроях. Тип приладу вказується на корпусі. Характеристики Тип матері..

1.40 грн.

Транзистор 2N4403 біполярний 0.6A 40V PNP TO92
ХІТ

Транзистор 2N4403 біполярний 0.6A 40V PNP TO92

Транзистор 2N4403 біполярний 0.6A 40V PNP TO92 - призначений для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах. Харак..

2.00 грн.

Транзистор 2N5089 біполярний 0.05A 25V TO92 NPN

Транзистор 2N5089 біполярний 0.05A 25V TO92 NPN

Транзистор 2N5089 біполярний 0.05A 25V TO92 NPN - цей низьковольтний транзистор має низький рівень шуму та високе підсилення. Застосовують такі компоненти в електронних схемах ..

8.50 грн.

Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO92

Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO...

Транзистор 2N5457 MOSFET N канальний 0.005A 25V JFET TO92 - застосовують в підсилювачах звуку загального призначення та комутації аналогових сигналів. Основні параметри Позначен..

11.80 грн.

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO92
ХІТ

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO...

Транзистор 2N5460 MOSFET P канальний 0.005A 40V JFET TO92 - підсилювач загального призначення. Цей пристрій розроблено в першу чергу для звуку низького рівня та призначений для..

5.90 грн.

Транзистор 2N5551 біполярний 0.6A 160V NPN TO92
ХІТ

Транзистор 2N5551 біполярний 0.6A 160V NPN TO92

Транзистор 2N5551 біполярний 0.6A 160V NPN TO92 - високочастотні, високовольтні, підсилювальні структури npn. Корпус пластиковий TO92 з гнучкими виводами. Характеристики Тип мат..

1.50 грн.

Транзистор 2N7000 MOSFET N канальний 0.35A 60V TO92

Транзистор 2N7000 MOSFET N канальний 0.35A 60V TO92

Транзистор 2N7000 MOSFET N канальний 0.35A 60V TO92 - це друге покоління польових транзисторів від фірми STMicroelectronics. Застосовують в електронних схемах як перемикачі. Відзнач..

2.10 грн.

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A 60V SOT23
ХІТ

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A...

Транзистор 2N7002 (7002) (702) MOSFET N канальний 0.11A 60V SOT23 - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення з безтрансформаторним входом, в регуляторах, стабіл..

1.90 грн.

Транзистор 2SA1015 біполярний 0.15A 50V PNP TO92
ХІТ

Транзистор 2SA1015 біполярний 0.15A 50V PNP TO92

Транзистор 2SA1015 біполярний 0.15A 50V PNP TO92 - призначений для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах. Хар..

1.50 грн.

Транзистор 2SA1020Y біполярний 2A 50V PNP TO92L
ХІТ

Транзистор 2SA1020Y біполярний 2A 50V PNP TO92L

Транзистор 2SA1020Y біполярний 2A 50V PNP TO92L - це високочастотний транзистор, застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Структура PNP Схема з'єднання О..

3.80 грн.

Транзистор 2SA1213 (NY) біполярний 2A 50V PNP SOT89

Транзистор 2SA1213 (NY) біполярний 2A 50V PNP SOT89

Транзистор 2SA1213 (NY) біполярний 2A 50V PNP SOT89 - застосовують для підсилювачів потужності та в схемам блоків живлення. Комплементарна пара 2SC2873 Характеристики Позначе..

3.50 грн.

Транзистор 2SA1358 кремнієвий біполярний 1A 120V PNP TO126

Транзистор 2SA1358 кремнієвий біполярний 1A 120V PNP TO...

Транзистор 2SA1358 кремнієвий біполярний 1A 120V PNP TO126 - призначений для підсилювача потужності звукової частоти. Підходить для драйвера аудіопідсилювача потужністю від 60 до 80 Вт. Ха..

12.00 грн.

Транзистор 2SA1797-Q (HAGQ AGQ) кремнієвий біполярний 2A 50V PNP SOT89

Транзистор 2SA1797-Q (HAGQ AGQ) кремнієвий біполярний 2...

Транзистор 2SA1797-Q (HAGQ AGQ) кремнієвий біполярний 2A 50V PNP SOT89 - призначений для застосування в підсилювачах постійного струму. Комплементарна пара 2SC4672-Q Характери..

9.00 грн.

Показано від 1 до 16 з 409 (всього сторінок: 26)

Асортимент категорії Транзистори

Жоден радіоаматор або професійний радіоелектронік не може уявити роботу без транзисторів. Всі сучасні електронні схеми містять у своїй конструкції величезну кількість транзисторів, яке обчислюється в мільйонах і навіть в мільярдах. Тому їх значення важко переоцінити.

Транзистори - це напівпровідникові прилади, які призначені для підсилення, генерації або перетворення електричних сигналів. Це головний компонент в будь-якій електричній схемі.

Транзистори можна розділити на кілька основних видів: біполярні, польові, IGBT.

Біполярні транзистори конструктивно побудовані на основі тришарового кристала, який складається з трьох областей: бази, емітера і колектора. За типом провідності поділяються на 2 види: прямий провідності (PNP транзистор) і зворотної провідності (NPN транзистор).

Польові транзистори - це напівпровідникові прилади, які працюють на базі управління електричним опором струмопровідного каналу поперечним електричним полем, прикладеним до затвора напругою. Області використання польових транзисторів надзвичайно широкі - аналогові та цифрові інтегральні схеми, електронні годинники, пульти дистанційного управління і так далі.

IGBT транзистори - це напівпровідникові прилади, їх вхідні характеристики подібні вхідним характеристикам польових транзисторів, а вихідні - вихідним характеристикам біполярних. Тому IGBT транзистори ще називають БТІЗ (Біполярний транзистор з Ізольованим Затвором). По швидкодії вони значно перевершують біполярні транзистори.

Вся сучасна цифрова техніка в основному побудована на польових МОП-транзисторах (метал-оксид-напівпровідник), через те, що вони більш економічні, ніж біполярні. Міжнародний термін таких транзисторів - MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). MOSFET транзистори - одні з найбільш затребуваних сучасною електронікою. Найбільш відомими брендами в області виробництва MOSFET - транзисторів є International Rectifier, STMicroelectronics, ON Semiconductors, Vishay, Fairchild, Infineon які постійно вдосконалюють, пропонують нові розробки й технології.

Більшість транзисторів виготовлені з дуже чистого кремнію або германію.

 
Розгорнути