Транзисторы
Транзистор JNG30N120HS2 N канальный 55A 1200V IGBT TO24...
Транзистор JNG30N120HS2 N канальный 55A 1200V IGBT TO247 – эти высоковольтные транзисторы обеспечивают малые потери и высокую энергоэффективность в таких устройствах: драйверах для двиг..
87.00 грн.
Транзистор KRC103S (NC) биполярный 0.1A 50V NPN SOT23
Транзистор KRC103S (NC) биполярный 0.1A 50V NPN SOT23 - предназначен для работы в интерфейсе и электронных схемах как драйвер. Характеристики Материал транзистора Si Код транзистор..
1.50 грн.
Транзистор KSE13009L биполярный 12A 400V NPN TO-3P
Транзистор KSE13009L биполярный 12A 400V NPN TO-3P - разработан для высоковольтных, скоростных и мощных переключений в индуктивных схемах. Особенно подходит для режимов коммутации 115 и ..
38.00 грн.
Транзистор KTC3198 биполярный 0.15A 50V TO92 NPN
Транзистор KTC3198 биполярный 0.15A 50V TO92 NPN - предназначен для применения в различных схемах. Тип прибора указывается на корпусе. Основные параметры Полярность NPN Максимально..
3.00 грн.
Транзистор KTC3875 (ALY/ALG) биполярный 0.15A 50V NPN S...
Транзистор KTC3875 (ALY/ALG) биполярный 0.15A 50V NPN SOT23 – биполярный, кремниевый, маломощный транзистор. Малошумный транзистор общего назначения. Характеристики Маркировка ..
1.70 грн.
Транзистор L2N7002WT1G (6C) MOSFET N канальный 0.11A 60...
Транзистор L2N7002WT1G (6C) MOSFET N канальный 0.11A 60V SOT323 – этот транзистор для поверхностного монтажа применяют в переключающих устройствах и преобразователях постоянного тока DC..
1.60 грн.
Транзистор LBSS123LT (1G BSS123 5A K23 SA SAs) MOSFET п...
Транзистор LBSS123LT (1G BSS123 5A K23 SA SAs) MOSFET полярность N 0.17A 100V SOT23 - применяют в сервоприводах и в качестве силовых драйверов затворов MOSFET транзисторов. Характеристики ..
1.50 грн.
Транзистор LND20N65 Lonten MOSFET полярность N 20A 650V...
Транзистор LND20N65 Lonten MOSFET полярность N 20A 650V TO220F - используют в блоках питания и других силовых устройствах радиоэлектроники. Характеристики Тип транзистора MOSFET по..
43.00 грн.
Транзистор MDF13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220F
Транзистор MDF13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220F - эти высоковольтные транзисторы производятся с фирмой Magna Chip. Эти компоненты хорошо подходит для высокоэффективного источника питан..
28.50 грн.
Транзистор MDP13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220
Транзистор MDP13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220 - эти высоковольтные транзисторы производятся с фирмой Magna Chip, по передовой технологии. Эта технология была специально адаптирована, ..
35.00 грн.
Транзистор MDP1991 MOSFET N канальный 120A 100V TO220
Транзистор MDP1991 MOSFET N канальный 120A 100V TO220 - применяют в импульсных преобразователях напряжения, в синхронных выпрямителях. Технические характеристики транзистора MDP1991 ..
45.50 грн.
Транзистор MJE13001 биполярный 0.2A 400V TO92 NPN
Транзистор MJE13001 биполярный 0.2A 400V TO92 NPN - применяют в маломощных импульсных блоках питания. Его можно встретить в зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковол..
2.60 грн.
Транзистор MJE13002 биполярный 1.5A 300V TO92 NPN
Транзистор MJE13002 биполярный 1.5A 300V TO92 NPN предназначен для использования в высоковольтных схемах. Обладая высокой скоростью подойдет для переключения мощности в индуктивной цепи. Тран..
2.80 грн.
Транзистор MJE13003 биполярный 1.6A 400V TO92 NPN
Транзистор MJE13003 биполярный 1.6A 400V TO92 NPN - используют как ключевой элемент в составе электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания. Они харак..
2.90 грн.
Транзистор MJE13003 кремневый биполярный NPN 1.5A 400V ...
Транзистор MJE13003 кремневый биполярный NPN 1.5A 400V TO126 - это высоковольтный усилительный транзистор. Применяют в энергосберегающих лампочках, зарядных устройствах, регуляторах освещения..
4.00 грн.
Транзистор MJE15032G биполярный 8A 250V NPN TO220
Транзистор MJE15032G биполярный 8A 250V NPN TO220 - это кремниевые транзисторы, которые предназначены для использования в качестве высокочастотных драйверов в аудио усилителях. Х..
26.70 грн.