Біполярні транзистори
Транзистор 2N2222A біполярний 0.8A 30V TO92 NPN
Транзистор 2N2222A біполярний 0.8A 30V TO92 NPN - високочастотний перемикаючий. Використовується в схемах підсилення постійного струму. Тип приладу вказується на корпусі. О..
1.60 грн.
Транзистор 2N2907A біполярний 0.6A 60V PNP TO92
Транзистор 2N2907A біполярний 0.6A 60V PNP TO92 - це високочастотний кремнієвий транзистор, його застосовують в різноманітних підсилювальних та перемикаючих схемах, а також у схемах зага..
1.50 грн.
Транзистор 2N3904 біполярний 0.2A 40V TO92 NPN
Транзистор 2N3904 біполярний 0.2A 40V TO92 NPN - призначені для застосування в імпульсних і перемикаючих пристроях. Тип приладу вказується на корпусі. Основні параметри Тип матеріалу..
1.70 грн.
Транзистор 2N3906 біполярний 0.2A 40V PNP TO92
Транзистор 2N3906 біполярний 0.2A 40V PNP TO92 - призначений для застосування в імпульсних і перемикаючих пристроях. Тип приладу вказується на корпусі. Характеристики Тип матері..
1.60 грн.
Транзистор 2N4403 біполярний 0.6A 40V PNP TO92
Транзистор 2N4403 біполярний 0.6A 40V PNP TO92 - призначений для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах. Харак..
2.00 грн.
Транзистор 2N5089 біполярний 0.05A 25V TO92 NPN
Транзистор 2N5089 біполярний 0.05A 25V TO92 NPN - цей низьковольтний транзистор має низький рівень шуму та високе підсилення. Застосовують такі компоненти в електронних схемах ..
8.50 грн.
Транзистор 2N5551 біполярний 0.6A 160V NPN TO92
Транзистор 2N5551 біполярний 0.6A 160V NPN TO92 - високочастотні, високовольтні, підсилювальні структури npn. Корпус пластиковий TO92 з гнучкими виводами. Характеристики Тип мат..
1.60 грн.
Транзистор 2SA1015 біполярний 0.15A 50V PNP TO92
Транзистор 2SA1015 біполярний 0.15A 50V PNP TO92 - призначений для застосування в підсилювачах низької частоти, операційних, диференціальних та імпульсних підсилювачах, перетворювачах. Хар..
1.50 грн.
Транзистор 2SA1020Y біполярний 2A 50V PNP TO92L
Транзистор 2SA1020Y біполярний 2A 50V PNP TO92L - це високочастотний транзистор, застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Структура PNP Схема з'єднання О..
3.80 грн.
Транзистор 2SA1213 (NY) біполярний 2A 50V PNP SOT89
Транзистор 2SA1213 (NY) біполярний 2A 50V PNP SOT89 - застосовують для підсилювачів потужності та в схемам блоків живлення. Комплементарна пара 2SC2873 Характеристики Позначе..
3.50 грн.
Транзистор 2SA1358 кремнієвий біполярний 1A 120V PNP TO...
Транзистор 2SA1358 кремнієвий біполярний 1A 120V PNP TO126 - призначений для підсилювача потужності звукової частоти. Підходить для драйвера аудіопідсилювача потужністю від 60 до 80 Вт. Ха..
12.00 грн.
Транзистор 2SA1797-Q (HAGQ AGQ) кремнієвий біполярний 2...
Транзистор 2SA1797-Q (HAGQ AGQ) кремнієвий біполярний 2A 50V PNP SOT89 - призначений для застосування в підсилювачах постійного струму. Комплементарна пара 2SC4672-Q Характери..
9.00 грн.
Транзистор 2SA1837 біполярний 1A 230V PNP TO220F
Транзистор 2SA1837 біполярний 1A 230V PNP TO220F - застосовують як драйвер в різноманітних підсилювачах. Технічні характеристики транзистора Тип матеріалу Si Полярність PNP ..
26.80 грн.
Транзистор 2SA1943 біполярний 15A 230V PNP 2-21F1A
Транзистор 2SA1943 біполярний 15A 230V PNP 2-21F1A - біполярні транзистори застосовуються в різних сучасних цифрових та аналогових пристроях. Призначений цей транзистор для застосув..
95.00 грн.
Транзистор 2SA733 (CS) біполярний 0.15A 50V PNP SOT23
Транзистор 2SA733 (CS) біполярний 0.15A 50V PNP SOT23 - призначений для застосування в підсилювачах і імпульсних пристроях. Характеристики Маркування CS Тип матеріалу Si ..
1.60 грн.
Транзистор 2SB1151-Y біполярний 5A 60V PNP TO126
Транзистор 2SB1151-Y біполярний 5A 60V PNP TO126 - це низькочастотний кремнієвий транзистор, який використовують в різних електронних схемах. Характеристики Тип матеріалу Si П..
9.80 грн.
Асортимент категорії Біполярні транзистори
Біполярні транзистори: пристрій, принцип і режими роботи
Основною функцією біполярного транзистора це збільшення потужності вхідного електричного сигналу. Ці напівпровідникові радіокомпоненти з'явилися, як альтернатива електровакуумних тріодів, і з часом практично витіснили їх. Заради справедливості зазначимо, що лампи застосовуються і зараз, але в дуже вузькому сегменті апаратури спеціального призначення. У масовій же радіотехніці використовуються, в основному, транзистори - біполярні і їх найближчі «родичі» польові.
Ключова перевага цих елементів складається в мініатюрності. Електровакуумний підсилювач зі схожими характеристиками виявляється в кілька разів більші за біполярного транзистора. Внаслідок цього застосування біполярного транзистора в радіоелектроніці призводить до суттєвого зменшення габаритних розмірів кінцевої радіотехнічної продукції.
Біполярним транзистор називається через те, що в фізичних процесах, що протікають під час його функціонування, беруть участь обидва типи носіїв заряду - і електрони, і дірки. Це впливає на принцип управління вихідним сигналом. У біполярних транзисторах вихідними параметрами керує струм, а не електричне поле, як в польових.
Біполярні транзистори складаються з 3 частин - емітера, колектора і бази. Таким чином, ключовими елементами біполярного транзистора є два p-n переходи, а не один, як у польових. Емітер виконує функцію генератора носіїв заряду, які формують робочий струм, який тече в приймач - колектор. База необхідна для подачі напруги, яка керує.
Якщо розглядати плоску модель біполярного транзистора, то радіокомпонент має дві області з p- або n-провідністю (емітер і колектор), розділені тонким шаром напівпровідника з провідністю зворотного знака (база). Напівпровідниковий кристал з боку колектора фізично більший. Таке співвідношення забезпечує правильну роботу біполярного транзистора.
Залежно від типу провідності емітера, колектора і бази розрізняють PNP і NPN транзистори. В принципі, вони функціонують однаково з тією лише різницею, що до них додаються напруги різної полярності. Вибір того чи іншого типу визначається особливостями конкретних радіотехнічних пристроїв.
Принцип роботи біполярного транзистора.
При підключенні емітера і колектора до джерела живлення створюються майже всі умови для протікання струму. Однак вільному переміщенню носіїв заряду перешкоджає база, і для усунення цієї перешкоди на неї подається напруга відкривання.
Якщо струм, що протікає через базу, змінюється по якомусь закону, то точно так само змінюється і потужний струм між емітером і колектором. Отже, ми отримуємо на виході біполярного транзистора такий же сигнал, як і на базі, але з більшою потужністю. В цьому і полягає підсилювальна функція біполярного транзистора.
Режими роботи.
Існують 4 режими, в одному з яких може працювати біполярний транзистор. У цей список входять наступні:
- ключовий режим;
- активний режим;
- насичення;
- бар'єрний режим.
Існує ще так званий інверсний режим, але він на практиці не використовується і цікавий тільки при теоретичних дослідженнях поведінки напівпровідників. Тому описуємо тільки чотири режими.
Ключовий режим
У тому випадку, якщо різниця потенціалів між емітером і базою нижче деякого значення (приблизно 0.6 В), то база-емітерний p-n перехід виявляється закритим, оскільки струм бази не виникає. У зв'язку з цим колекторний струм не протікає з тої причини, що в базовому шарі відсутні вільні електрони. Таким чином, транзистор переходить в закритий стан і сигнал не посилює. Цей режим використовується в цифрових схемах, коли біполярний транзистор працює як ключ в положенні «розімкнутий».
Активний режим
В цьому режимі радіокомпонент підсилює сигнал, тобто виконує свою основну функцію. На базу подається різниця потенціалів внаслідок цього відкривається база-емітерний p-n перехід. Як наслідок, в транзисторі починають протікати струми колектора і бази. Значення колекторного струму обчислюється як арифметичне похідне величини струму бази та коефіцієнта підсилення.
Насичення
В цей режим біполярний транзистор входить при збільшенні струму бази до якогось граничного значення, при якому p-n перехід повністю відкривається. Значення струму, що протікає через біполярний транзистор при його насиченні, залежить лише від напруги живлення і величини навантаження в колекторі ланцюга. В даному режимі вхідний сигнал не підсилюється, адже колекторний струм не сприймає змін струму бази. Здатність транзистора до переходу в насичення використовується в цифровій техніці, коли транзистор грає роль ключа в замкнутому положенні.
Бар'єрний режим
Тут транзистор працює як діод з послідовно включеним резистором. Для цього базу безпосередньо або через малоомний опір з'єднують з колектором. В даному режимі біполярні транзистори добре показують себе в високочастотних схемах. Крім того, використання транзистора в бар'єрному режимі доцільно на реальному виробництві для зниження загальної кількості комплектуючих.








