Польові транзистори



Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний TO220FL
ХІТ

Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний TO220FL

Транзистор 2SJ241 MOSFET P канальний TO220FL - цей компонент застосовують в DC-DC конвертерах та різноманітних блоках живлення. Характеристики Тип транзистора MOSFET ..

9.00 грн.

Транзистор 2SK2611 900V 9A N канальний TO-3PB
ХІТ

Транзистор 2SK2611 900V 9A N канальний TO-3PB

Транзистор 2SK2611 900V 9A N канальний - застосовується як силовий ключ в різних пристроях в імпульсних блоках живлення, інверторах напруги, в тому числі у зварювальних апаратах інвертор..

40.80 грн.

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний TO220F
ХІТ

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний TO220F

Транзистор 2SK3673 MOSFET N канальний TO220F - призначений для безперебійних блоків живлення, стабілізаторів напруги та інших силових схем. Технічні характеристики транзистора Т..

52.00 грн.

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний TO-3P

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний TO-3P

Транзистор 2SK3878 MOSFET N канальний TO-3P - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах, схемах управління електр..

64.50 грн.

Транзистор AO3400A (A09T) MOSFET N канальний SOT23
ХІТ

Транзистор AO3400A (A09T) MOSFET N канальний SOT23

Транзистор AO3400A (A09T) MOSFET N канальний SOT23 - застосовують в різних електронних схемах. Основними перевагами нових приладів в корпусах SOT23 є менші Rds (on) і тепловий опір корпу..

2.10 грн.

Транзистор AO3401 (A19T) MOSFET P канальний SOT23
ХІТ

Транзистор AO3401 (A19T) MOSFET P канальний SOT23

Транзистор AO3401 (A19T) MOSFET P канальний SOT23 - застосовують в перемикаючих пристроях та регуляторах напруги. Характеристики Маркування A19T Полярність P Гранично допуст..

2.10 грн.

Транзистор BUZ102S MOSFET N канальний TO220
ХІТ

Транзистор BUZ102S MOSFET N канальний TO220

Транзистор BUZ102S MOSFET N канальний TO220 - це електронний компонент, який застосовують в електронних схемах різних марках мотоциклів, автомобілів, вантажівок. Характеристики Тип т..

43.50 грн.

Транзистор CS4N60F MOSFET полярність N TO220F
ХІТ

Транзистор CS4N60F MOSFET полярність N TO220F

Транзистор CS4N60F MOSFET полярність N - використовується в різноманітних пристроях. Характеристики Тип транзистора MOSFET Полярність N Максимальна потужність, що розсі..

10.80 грн.

Транзистор F9NK90Z MOSFET N канальний TO220F
ХІТ

Транзистор F9NK90Z MOSFET N канальний TO220F

Транзистор F9NK90Z MOSFET N канальний TO220F - призначений для використання в різноманітних високовольтних електронних схемах. Технічні характеристики транзистора Максимальна потужні..

27.30 грн.

Транзистор FDB075N15A MOSFET N канальний 150V 130A  TO263-3 D2PAK
ХІТ

Транзистор FDB075N15A MOSFET N канальний 150V 130A  TO2...

Транзистор FDB075N15A MOSFET N канальний 150V 130A TO263-3 D2PAK - його використовують в різних силових схемах. Технічні характеристики Кількість каналів 1 Полярність тра..

112.00 грн.

Транзистор FDD86250 MOSFET N канальний TO252 DPAK
ХІТ

Транзистор FDD86250 MOSFET N канальний TO252 DPAK

Транзистор FDD86250 MOSFET N канальний TO252 DPAK - виготовляється з використанням передового технологічного процесу Power Trench®, який був спеціально розроблений для мінімізації оп..

36.50 грн.

Транзистор FGPF4633 MOSFET полярність N TO220F

Транзистор FGPF4633 MOSFET полярність N TO220F

Транзистор FGPF4633 MOSFET полярність N TO220F - використовуючи технологію IGBT Novel Trench цей швидкий, високострумовий з низькою напругою насичення транзистор та малими втратами ..

23.50 грн.

Транзистор FHA20N50 MOSFET N канальний TO-3P
ХІТ

Транзистор FHA20N50 MOSFET N канальний TO-3P

Транзистор FHA20N50 MOSFET N канальний TO-3P - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах, схемах управління елект..

38.50 грн.

Транзистор FQPF 12N60C MOSFET N канальний TO220
ХІТ

Транзистор FQPF 12N60C MOSFET N канальний TO220

Транзистор FQPF 12N60C MOSFET N канальний TO220 - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах. Технічні хар..

17.50 грн.

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220
ХІТ

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220 - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах. Технічні хара..

14.00 грн.

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220F
ХІТ

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220F

Транзистор FQPF 8N60C MOSFET N канальний TO220F - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах. Технічні характер..

14.50 грн.

Показано від 1 до 16 з 63 (всього сторінок: 4)

Асортимент категорії Польові транзистори

Польові транзистори: пристрій, принцип і режими роботи, типи, схеми включення

Польовими транзисторами називаються напівпровідникові радіокомпоненти, які використовуються для підсилення електричного сигналу. У цифрових пристроях схеми на основі цих транзисторів виконують функції ключів, керуючих перемиканнями логічних елементів. В останньому випадку застосування польових транзисторів є вкрай вигідним з точки зору мініатюризації апаратури. Це обумовлено тим, що для управління цими радіокомпонентами потрібні невеликі потужності, внаслідок чого на одному кристалі напівпровідникової мікросхеми можна розміщувати десятки тисяч транзисторів.

Напівпровідниковою сировиною для виготовлення польових транзисторів є такі матеріали:

  • карбід кремнію;
  • арсенід галію;
  • нітрид галію;
  • фосфід індію.


Пристрій і принцип роботи польового транзистора.

Польові транзистори складаються з трьох елементів - витоку, стоку і затвора. Функції перших двох очевидні та полягають відповідно в генеруванні та прийомі носіїв електричного заряду, тобто електронів або дірок. Призначення затвора полягає в управлінні струмом, що протікає через польовий транзистор. Таким чином, ми отримуємо класичний тріод з катодом, анодом і керуючим електродом.

У момент подачі напруги на затвор, виникає електричне поле, що змінює ширину p-n переходів і впливає на величину струму, який протікає від витоку до стоку. При відсутності керуючої напруги ніщо не перешкоджає потоку носіїв заряду. З підвищенням напруги, що управляє каналом, по якому рухаються електрони або дірки, звужується, а при досягненні якогось граничного значення зовсім перекривається, і транзистор входить в так званий режим відсічення. Якраз ця властивість польових транзисторів і дозволяє використовувати їх як ключі.

Підсилювальні властивості радіокомпонента обумовлені тим, що потужний електричний струм, що протікає від витоку до стоку, повторює динаміку напруги, що прикладається до затвора. Іншими словами, з виходу підсилювача знімається такої ж за формою сигнал, що і на керуючому електроді, тільки набагато більшої потужності.


Поширені типи польових транзисторів.

В цей час в радіоапаратурі застосовуються польові транзистори двох основних типів - з керуючим p-n переходом і з ізольованим затвором. Опишемо докладніше кожну модифікацію.

1. Керуючий p-n перехід.
Ці польові транзистори є видовжений напівпровідниковий кристал, протилежні кінці якого з металевими виводами грають роль стоку і витоку. Функцію затвора виконує невелика зона зі зворотною провідністю, впроваджена в центральну частину кристала. Так само як стік і витік, затвор комплектується металевими виводами.

Електронно-дірковий p-n перехід в таких польових транзисторах отримав назву керуючого, оскільки безпосередньо змінює потужність потоку носіїв заряду, становить собою фізичну перешкоду для електронів або дірок (в залежності від типу провідності основного кристала).

2. Ізольований затвор.
Конструкція цих польових транзисторів відрізняється від описаних вище з керуючим p-n переходом. Тут напівпровідниковий кристал грає роль підкладки, в яку на деякій відстані один від одного впровадили дві зони зі зворотною провідністю. Це витік і стік відповідно. Функцію затвора виконує металевий вивід, який відокремлюється від кристала шаром діелектрика і, таким чином, електрично з ним не контактує.

Через те, що в конструкції цих польових транзисторів використовуються три типи матеріалів - метал, діелектрик і напівпровідник, - дані радіокомпоненти часто називають МДН транзисторами. В елементах, які формуються в кремнієвих мікросхемах планарно-епітаксійними методами, як діелектричний шар використовується оксид кремнію, у зв'язку з чим буква «Д» в абревіатурі замінюється на «О», і такі компоненти отримують назву МОН транзисторів.

Існує два види цих польових транзисторів - з індукованим і вбудованим каналом. У перших фізичний канал відсутній і виникає тільки в результаті впливу електричного поля від затвора на підкладку. По-друге, канал між витоком і стоком фізично вмонтований в підкладку, і напруга на затворі потрібна не для формування каналу, а лише для управління його характеристиками.

Схемотехнічні переваги польових транзисторів з ізольованим затвором перед транзисторами з керуючим p-n переходом полягає в вищому вхідному опорі. Це розширює можливості застосування даних елементів. Наприклад, вони використовуються в високоточних пристроях та іншій апаратурі, критичною до електричних режимів.

В силу конструктивних особливостей МОН транзистори надзвичайно чутливі до зовнішніх електричних полів. Це змушує дотримуватися особливих застережних заходів при роботі з цими радіодеталями. Зокрема, в процесі пайки необхідно використовувати паяльну станцію із заземленням, а, крім того, заземлюватися повинен і працівник, який виконує пайку. Навіть малопотужна статична електрика здатна пошкодити польовий транзистор.


Схеми включення польових транзисторів.

Залежно від того, яким чином польовий транзистор включається в підсилювальний каскад, існує три схеми - із загальним витоком, із загальним стоком і з загальним затвором. Способи розрізняються тим, на які електроди подаються живлять напруги, і до яких контактів приєднуються джерело сигналу і навантаження.

  • Схема із загальним витоком використовується найчастіше, через те, що саме в цьому випадку досягається максимальне підсилення вхідного сигналу.
  • Спосіб включення польового транзистора із загальним стоком використовується, головним чином, в пристроях узгодження, оскільки підсилення тут невелике, але вхідний і вихідний сигнали збігаються по фазі.
  • І, нарешті, схема із загальним затвором знаходить застосування, в основному, у високочастотних підсилювачах. Смуга пропускання при такому включенні польового транзистора набагато ширше, ніж при інших схемах.

Розгорнути