China
Транзистор MDP13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220
Транзистор MDP13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220 - эти высоковольтные транзисторы производятся с фирмой Magna Chip, по передовой технологии. Эта технология была специально адаптирована, ..
35.00 грн.
Транзистор MDP1991 MOSFET N канальный 120A 100V TO220
Транзистор MDP1991 MOSFET N канальный 120A 100V TO220 - применяют в импульсных преобразователях напряжения, в синхронных выпрямителях. Технические характеристики транзистора MDP1991 ..
45.50 грн.
Транзистор MJE13001 биполярный 0.2A 400V TO92 NPN
Транзистор MJE13001 биполярный 0.2A 400V TO92 NPN - применяют в маломощных импульсных блоках питания. Его можно встретить в зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковол..
2.60 грн.
Транзистор MJE13002 биполярный 1.5A 300V TO92 NPN
Транзистор MJE13002 биполярный 1.5A 300V TO92 NPN предназначен для использования в высоковольтных схемах. Обладая высокой скоростью подойдет для переключения мощности в индуктивной цепи. Тран..
2.80 грн.
Транзистор MJE13003 биполярный 1.6A 400V TO92 NPN
Транзистор MJE13003 биполярный 1.6A 400V TO92 NPN - используют как ключевой элемент в составе электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания. Они харак..
2.90 грн.
Транзистор MJE13003 кремневый биполярный NPN 1.5A 400V ...
Транзистор MJE13003 кремневый биполярный NPN 1.5A 400V TO126 - это высоковольтный усилительный транзистор. Применяют в энергосберегающих лампочках, зарядных устройствах, регуляторах освещения..
4.00 грн.
Транзистор MMBT2222 (1P) биполярный 1A 30V NPN SOT23
Транзистор MMBT2222 (1P) биполярный 1A 30V NPN SOT23 - это кремниевые усилительные транзисторы применяют в различных электронных схемах. Характеристики Маркировка 1P Тип материала ..
1.50 грн.
Транзистор MMBT2907 (2F) биполярный 0.6A 40V PNP SOT23
Транзистор MMBT2907 (2F) биполярный 0.6A 40V PNP SOT23 - широко применяют в различных электронных схемах. Характеристики Маркировка 2F Тип материала Si Структура PNP Максимальн..
1.60 грн.
Транзистор MMBT3904 (1AM) биполярный 0.1A 40V NPN SOT23...
Транзистор MMBT3904 (1AM) биполярный 0.1A 40V NPN SOT23 - часто применяют в различных электронных схемах. Характеристики Маркировка 1AM Тип материала Si Структура NPN Максималь..
1.60 грн.
Транзистор MMBT3906 (2A) биполярный 0.2A 40V PNP SOT23
Транзистор MMBT3906 (2A) биполярный 0.2A 40V PNP SOT23 - широко применяют в различных электронных схемах. Характеристики Маркировка 2A Тип материала Si Структура PNP Максимальн..
1.60 грн.
Транзистор MMBT4401 (2X) биполярный 1A 40V NPN SOT23
Транзистор MMBT4401 (2X) биполярный 1A 40V NPN SOT23 - предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний. Характеристики Мар..
1.60 грн.
Транзистор MMBT4403 (2T K2T) биполярный 0.6A 40V PNP SO...
Транзистор MMBT4403 (2T K2T) биполярный 0.6A 40V PNP SOT23 - предназначен для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях...
1.60 грн.
Транзистор MMBT5401 (2L) биполярный 0.6A 150V PNP SOT23...
Транзистор MMBT5401 (2L) биполярный 0.6A 150V PNP SOT23 - применяют в электронных схемах различных отраслей. Характеристики Маркировка 2L Тип материала Si Структура PNP Сх..
1.70 грн.
Транзистор MMBT5551 (G1) биполярный 0.6A 160V NPN SOT23...
Транзистор MMBT5551 (G1) биполярный 0.6A 160V NPN SOT23 - биполярный транзистор, предназначенный для универсальных высоковольтных усилителей и драйверов дисплеев. Характеристики Марк..
1.80 грн.
Транзистор MMBTA42 (A42 1D) биполярный 0.1A 300V NPN SO...
Транзистор MMBTA42 (A42 1D) биполярный 0.1A 300V NPN SOT23 - маломощный высоковольтный NPN транзистор в корпусе SOT-23 для планарного монтажа. Применяется в телефонии и других телекоммун..
1.50 грн.
Транзистор MMBTA92 (2D) биполярный 0.1A 300V PNP SOT23
Транзистор MMBTA92 (2D) биполярный 0.1A 300V PNP SOT23 - применяют в различных электронных схемах. Характеристики Маркировка 2D Структура PNP Схема соединения Одиночный Максима..
1.50 грн.