China
Транзистор NCE55H12 MOSFET полярность N 120A 55V TO220
Транзистор NCE55H12 MOSFET полярность N 120A 55V TO220 - этот N-канальный MOSFET транзистор изготовлен с помощью современной технологии, использующей передовую технологию для обеспечения прев..
27.00 грн.
Транзистор NCE60H15 MOSFET полярность N 150A 60V TO220
Транзистор NCE60H15 MOSFET полярность N 150A 60V TO220 - этот N-канальный MOSFET транзистор изготовлен с помощью современной технологии, использующей передовую технологию для обеспечения прев..
30.00 грн.
Транзистор NCE75H14 MOSFET полярность N 140A 75V TO220
Транзистор NCE75H14 MOSFET полярность N 140A 75V TO220 - этот N-канальный MOSFET транзистор изготовлен с помощью современной технологии, использующей передовую технологию для обеспечения прев..
30.00 грн.
Транзистор NCE82H110 MOSFET N канальный 110A 82V TO220
Транзистор NCE82H110 MOSFET N канальный 110A 82V TO220 - предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях. Технически..
35.70 грн.
Транзистор NCEP01H13 (NCEP01T13) MOSFET полярность N 13...
Транзистор NCEP01H13 (NCEP01T13) MOSFET полярность N 130A 100V TO220 - этот N-канальный MOSFET транзистор изготовлен с помощью современной технологии, использующей передовую технологию для об..
35.00 грн.
Транзистор NCEP15T14 MOSFET N канальный 140A 150V TO220...
Транзистор NCEP15T14 MOSFET N канальный 140A 150V TO220 - в этих транзисторах применена технология Super Trench, она оптимизирована для обеспечения наиболее эффективной производительности при..
52.00 грн.
Транзистор OST80N65HM N канальный 114A 650V IGBT TO247
Транзистор OST80N65HM N канальный 114A 650V IGBT TO247 - в этих транзисторах используется передовая запатентованная передовая технология Oriental-Semi (TGBTTM). Эта технология разработана для..
270.00 грн.
Транзистор RJH3047 N канальный с диодом 50A 330V IGBT T...
Транзистор RJH3047 N канальный с диодом 50A 330V IGBT TO-3P - транзисторы применяют в различных схемах силовой радиотехники. Характеристики Максимальное напряжение 330 В Максим..
60.00 грн.
Транзистор RJH60F5 N канальный 80A 600V IGBT TO247
Транзистор RJH60F5 N канальный 80A 600V IGBT TO247 - предназначены для применения в различных схемах силовой электроники как мощные ключи. IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор,..
130.00 грн.
Транзистор RU6888R3 MOSFET полярность N 88A 68V TO220
Транзистор RU6888R3 MOSFET полярность N 88A 68V TO220 - применяют для ремонта блоков питания электро самокатов, гироскутеров и мини-сигвеев. Характеристики Тип транзистора MOSFE..
28.80 грн.
Транзистор RU7088R MOSFET N канальный 80A 70V TO220
Транзистор RU7088R MOSFET N канальный 80A 70V TO220 - это полевой транзистор, который может быть использован в сфере управления питанием источников бесперебойного питания и инверторных систем..
26.00 грн.
Транзистор RU7588R MOSFET N канальный 80A 75V TO220
Транзистор RU7588R MOSFET N канальный 80A 75V TO220 - это низковольтные транзисторы, которые часто используют в автомобильной промышленности, DC/DC преобразователях и высокоэффективных перекл..
27.00 грн.
Транзистор S8050 (J3Y) биполярный 0.5A 25V NPN SOT23
Транзистор S8050 (J3Y) биполярный 0.5A 25V NPN SOT23 - применяют в электронных схемах различных отраслей. Характеристики Маркировка J3Y Структура NPN Схема соединения Одиночный ..
1.50 грн.
Транзистор S8050 кремниевый биполярный 0.5A 25V NPN TO9...
Транзистор S8050 кремниевый биполярный 0.5A 25V NPN TO92 - маломощный высокочастотный npn транзистор. Применяется в радио приемниках (передатчиках). Характеристики Тип материала Si ..
1.50 грн.
Транзистор S80N08R MOSFET N канальный 80A 80V TO220
Транзистор S80N08R MOSFET N канальный 80A 80V TO220 - этот силовой MOSFET транзистор изготовлен с использованием передовой технологии Trench MOS фирмой Si-Tech. Эта новейшая технология была с..
55.00 грн.
Транзистор S8550 (2TY) биполярный 0.5A 25V PNP SOT23
Транзистор S8550 (2TY) биполярный 0.5A 25V PNP SOT23 - применяют в электронных схемах различных отраслей. Характеристики Маркировка 2TY Структура PNP Схема соединения Одиночный ..
1.50 грн.