IGBT транзистори



Транзистор FGA25N120ANTD N канальний IGBT TO-3P

Транзистор FGA25N120ANTD N канальний IGBT TO-3P

Транзистор FGA25N120ANTD N канальний IGBT TO-3P - використовують для ремонту і виготовлення інверторів, безперебійних блоків живлення, зарядних пристроях і іншої силової техніки. Хара..

67.50 грн.

Транзистор FGH60N60SFD N канальний IGBT TO247
ХІТ

Транзистор FGH60N60SFD N канальний IGBT TO247

Транзистор FGH60N60SFD 600V 120A N канальний IGBT TO247 - використовують для ремонту та виготовлення інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являт..

48.70 грн.

Транзистор GW45HF60WD N канальний IGBT TO247
ХІТ

Транзистор GW45HF60WD N канальний IGBT TO247

Транзистор GW45HF60WD N канальний IGBT TO247 - використовують для ремонту інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являти собою гібрид польового і ..

67.50 грн.

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом IGBT TO-3P
ХІТ

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом IGBT TO-3P

Транзистор RJH3047 N канальний з діодом IGBT TO-3P - транзистори застосовують в різних схемах силової радіотехніки. Характеристики Максимальна напруга 330 В Максимальний постій..

62.00 грн.

Транзистор RJH60F5 600V 80A N канальний IGBT TO247
ХІТ

Транзистор RJH60F5 600V 80A N канальний IGBT TO247

Транзистор RJH60F5 600V 80A N канальний IGBT TO247 - призначені для застосування в різних схемах силової електроніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являти собою..

63.50 грн.

Транзистор FGH60N60SFD N канальний IGBT TO247
ХІТ

Транзистор FGH60N60SFD N канальний IGBT TO247

Транзистор FGH60N60SFD без діода N канальний IGBT TO247 - використовують для ремонту та виготовлення інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являт..

44.30 грн.

Транзистор GP4063D 600V 48A N канальний IGBT TO247
ХІТ

Транзистор GP4063D 600V 48A N канальний IGBT TO247

Транзистор GP4063D 600V 48A N канальний IGBT TO247 - використовують для ремонту та виготовлення інверторів та іншої техніки. IGBT транзистор - це досить хитромудрий прилад, який являти соб..

48.50 грн.

Показано від 1 до 7 з 7 (всього сторінок: 1)

Асортимент категорії IGBT транзистори

IGBT транзистори. Переваги. Пристрій і робота. Сфера використання
В цей час в електроніці мають велику популярність IGBT транзистори. Розшифровується цю абревіатура з англійської мови - біполярний транзистор з ізольованим затвором. Транзистор застосовується як потужний електронний ключ для систем управління приводами електромеханізмів, в джерелах живлення, інверторах та інших пристроях.

IGBT транзистори поєднують в собі властивості біполярного і польового транзистора. Вони керуються шляхом подачі напруги на затвор, ізольований від ланцюга. Характерною властивістю цього транзистора є низька потужність управління, яка застосовується для перемикань потужних силових ланцюгів.
Найбільшою популярністю користуються IGBT в силових ланцюгах перетворювачів частоти та електродвигунів змінного струму потужністю до 1 МВт. За вольт-амперними властивостями ці транзистори аналогічні біполярним компонентам, але якість і чистота комутації у них набагато краща.

Сучасні технології виготовлення дають можливість оптимізувати транзистори за функціональними характеристиками. Уже розроблені напівпровідники, здатні працювати при більшій напрузі та величині струму.

В регуляторах швидкості застосовуються IGBT транзистори з робочою частотою в декілька десятків кГц.

Переваги

  • Проста паралельна схема.
  • Відсутність втрат.
  • Підвищена щільність струму.
  • Стійкість до замикань.
  • Малі втрати у відкритому стані.
  • Можливість функціонування при високій температурі (вище 100 º С).
  • Використання з напругою (вище 1 кВ) та потужностями (понад 5 кВт).

При проєктуванні схем підключення з транзисторами потрібно мати на увазі, що існує обмеження по найбільшому струму. Для цього застосовують різні способи:

  • Правильний підбір струму захисту.
  • Вибір опору затвора.
  • Використання обхідних шляхів комутації.

Пристрій і робота

В середині IGBT транзистор містить каскад двох електронних ключів, керуючих кінцевим виходом.

Принцип дії транзистора полягає у двох етапах:

  1. При подачі напруги плюсового потенціалу між витоком і затвором польовий транзистор відкривається, з'являється n-канал між стоком і витоком.
  2. Починається рух заряджених електронів з n-області в р-область, внаслідок чого відкривається транзистор. В результаті цього від емітера до колектора протікає електричний струм.


IGBT транзистори служать для наближення струмів замикання до безпечного значення. Вони обмежують напругу затвора наступними методами:

  • За допомогою прив'язки до певного значення напруги. Це досягається тоді, коли драйвер затвора має постійну напругу. Головним способом є додавання в схему діода, що має мале падіння напруги (діод Шоттки). Значний ефект виходить шляхом зменшення індуктивності ланцюга затвора і живлення.
  • Обмеження значення напруги затвора шляхом використання стабілітрона в схемі затвора й емітера. Непогана ефективність виходить шляхом установки діодів до додаткових клем модуля. Діоди застосовуються з малим допуском і температурною залежністю.
  • Підключення в ланцюг негативного зворотного зв'язку емітера. Такий спосіб доступний, коли підключений емітер драйвера затвора до клем емітера модуля.


Сфера використання

IGBT транзистори найчастіше працюють в мережах високої напруги до 6,5 кВт для надійної та безпечної роботи електроустановок в аварійному режимі при коротких замиканнях.

Перераховані вище властивості транзисторів дають можливість використовувати їх в регуляторах частоти, інверторах, імпульсних регуляторах струму, а також у зварювальних апаратах.

Також IGBT застосовуються в системах потужних приводів управління електровозів, тролейбусів. Це підвищує ККД і створює підвищену плавність ходу.

Силові транзистори широко використовуються в ланцюгах високої напруги. Вони входять до складу схем посудомийних машин, побутових кондиціонерів, автомобільного електронного запалювання, блоків живлення телекомунікаційного обладнання.

Перевірка справності
IGBT транзистори перевіряються у випадках ремонту електричного пристрою. Перевірку проводять за допомогою мультитестера шляхом продзвонювання електродів емітера і колектора у двох напрямках, щоб перевірити відсутність замикання. Ємність входу емітер-затвор необхідно зарядити мінусовою напругою. Це робиться короткочасним дотиком щупа мультиметра «СОМ» затвора і щупа «V / Ω / f» емітера.

Щоб зробити перевірку, потрібно переконатися, чи працює в нормальному режимі транзистор. Для цього зарядимо ємність на вході емітер-затвор плюсовою напругою. Це робиться коротким дотиком щупа «V / Ω / f» затвора, а щупа «СОМ» емітера. Контролюється різниця потенціалів емітера і колектора, яка не повинна перевищувати 1,5 В. Якщо напруги тестера не вистачить для відкривання транзистора, то вхідну ємність можна зарядити від живлення напругою 15 В.

IGBT модулі
Силові транзистори виготовляють не тільки у вигляді окремих компонентів, але й у вигляді модулів. Такі модулі входять до складу частотних перетворювачів для управління електромоторами.

IGBT транзистори нормально функціонують при робочій частоті до 50 кГц. Якщо частоту підвищувати, то підвищуються і втрати. Свої можливості силові транзистори виявляють максимально при напрузі вище 400 В. Тому такі транзистори часто зустрічаються в потужних електричних приладах високої напруги, а також в промисловому обладнанні.

Історії виникнення
Польові транзистори стали з'являтися в 1973 році. Потім розробили складовий транзистор, який оснастили керованим транзистором за допомогою польового напівпровідника з затвором.

Перші силові транзистори мали недоліки, що виражалися в повільному перемиканні, низькою надійністю. Після 90 років і по теперішній час ці недоліки усунуті. Силові напівпровідники мають підвищений вхідний опір, малий рівень керуючої потужності, малий показник залишкової напруги.

Зараз існують моделі транзисторів, здатних комутувати струм до декількох сотень ампер, з робочою напругою в тисячі вольтів.

Розгорнути