Транзистор FGH75T65UPD N канальний 150A 650V IGBT TO247
ХІТ
Транзистор FGH75T65UPD N канальний 150A 650V IGBT TO247 - при виготовленні цих транзисторів застосовують нову технологію Field Stop Trench IGBT від фірми Fairchild’s. Ця нова серія транзисторів IGBT забезпечує оптимальну продуктивність для сонячних інверторів, ББЖ і цифрових генераторів електроенергії де важливі низькі втрати потужності та швидка комутація сигналу.
Характеристики
- Позначення на корпусі FGH75T65UPD
- Тип IGBT
- Тип каналу N-канальний
- Потужність розсіювання при 25 ° C 375 Вт
- Максимальна напруга колектор-емітер 650 В
- Напруга затвор-емітер ±20 В
- Максимальний поріг відкривання 7,5 В
- Максимальний струм колектора при 25 ° C 150 А
- Максимальний струм колектора при 100 ° C 75 А
- Максимальна температура +175 ° C
- Час наростання 43 ns
- Ємність колектора 205 пФ
- Загальний заряд затвора 385 nC
- Тип корпусу TO247
