Транзистор FQPF2N60C MOSFET N канальный 2A 600V TO220F
ХИТ
Транзистор FQPF2N60C MOSFET N канальный 2A 600V TO220F - это высоковольтный транзистор предназначен для использования в различных схемах.
Технические характеристики транзистора
- Структура N
- Максимальная рассеиваемая мощность 23 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 600 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
- Предельное напряжение включения 4 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 2 А
- Максимальная температура канала 150 ° C
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 4,7 Ом
- Тип корпуса TO220F
