Транзистор IRFI840G MOSFET N канальный 4.6A 500V TO220F
Транзистор IRFI840G MOSFET N канальный 4.6A 500V TO220F - это МОП-транзисторы третьего поколения, которые сочетают в себе быстрое переключение, низкое потребление тока и низкое сопротивление. Эти универсальные транзисторы применяют в промышленности при рассеивании мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO220 способствуют широкому применению этих транзисторов в различных областях.
Транзистор IRFI840G допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, позволяет подключать высокоомное источник электрических колебаний.
Технические характеристики транзистора
- Обозначение на корпусе IRFI840G
- Тип транзистора MOSFET
- Тип канала управления N-канал
- Максимальная рассеиваемая мощность 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
- Максимальное пороговое напряжение затвора 4 В
- Максимальный ток стока 4,6 А
- Максимальная температура соединения 150 ° C
- Общий заряд затвора 63 нКл
- Время нарастания 22 нс
- Выходная емкость 200 пФ
- Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии 0,85 Ом
- Корпус TO220
Основные параметры транзистора IRFI840G полевого
При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRFI840G составляет 4,6A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током "исток"-"сток".
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами "сток" и "исток". При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для данной модели напряжение составляет 500 В.
Также транзистор IRFI840G характеризуется напряжением отсечки на участке "затвор"-"исток". Этот показатель - пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора следует учитывать:
- Чувствительность к перегреву.
- Высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Лучший вариант - пайка с помощью паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязанный от сети, обеспечен антистатической защитой и регулированием температуры.
Купить транзистор IRFI840G MOSFET N канальный 4.6A 500V TO220F в Ивано-Франковске можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Black Chip.
