Транзистор IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247
Транзистор IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247 - эти транзисторы пятого поколения изготовлены компанией International Rectifier по технологии HEXFET которая уменьшает сопротивление транзистора в открытом состоянии. Эти надежные транзисторы широко известны в различных сферах коммерческо-промышленного производства и различных электронных устройствах.
Описание Транзистор IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247
- Обозначение на корпусе IRFP260N
- Тип транзистора MOSFET
- Тип канала управления N-канал
- Максимальная рассеиваемая мощность 300 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 200 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
- Предельное напряжение включения 4 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 50 А
- Максимальная температура канала +175 ° C
- Общий заряд затвора 234 нКл
- Время нарастания 60 нс
- Емкость сток-исток 603 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,04 Ом
- Тип корпус TO247
Отличительные черты и преимущества транзистора IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247
Транзистор IRFP260N полевой N-канальный 200V 50A корпус TO-247AC изготовлен на пластине полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода ("сток" и "исток"), а управляющий электрод - затвор.
Изменяя полярность и уровень напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.
Поскольку транзистор называется "полевым", открывается напряжением, а не током через базу, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора имеет значительное сопротивление, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора IRFP260N полевого
При расчете усилительных каскадов необходимо выходить прежде всего из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRFP260N составляет 50A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если требуется более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током "исток"-"сток".
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами сток и исток. При превышении этого параметра транзистор может "пробиться". Для данной модели напряжение составляет 200 В.
Также транзистор IRFP260N характеризуется напряжением отсечки на участке "затвор"-"исток". Этот показатель – предельное значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит мощность рассеивающегося транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, необходимо дополнительно учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFP260N следует учитывать:
- Чувствительность к перегреву;
- Высокая вероятность пробоя от влияния статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Предпочтительный вариант – пайка с помощью паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор IRFP260N MOSFET N канальный 50A 200V TO247 в Ивано-Франковске можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Black Chip.
