Транзистор NCE30D2519K MOSFET NP канальный 25A 30V TO-252-4L

Транзистор NCE30D2519K MOSFET NP канальный 25A 30V TO-252-4L - производитель использует передовую технологию для изготовления этих транзисторов и дизайн, чтобы обеспечить отличную RDS(ON) с низким сопротивлением и низким зарядом затвора. Его можно использовать в широком спектре устройств в промышленности и в быту.

Технические характеристики

• Маркировка на корпусе 30D2519K
• Тип транзистора MOSFET
• Структура NP
• Напряжение пробоя сток-исток 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
• Максимальное пороговое затворное напряжение 3 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 25 A
• Максимальная рассеиваемая мощность 21 Вт
• Общий заряд затвора 9,5 нКл
• Время нарастания 12 нс
• Выходная емкость 150 пФ
• Максимальная температура канала +175 ° C
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,012 Ом
• Корпус TO-252-4L