Транзистор IRLR2705 MOSFET N канальный 28A 55V TO252 DPAK

Транзистор IRLR2705 MOSFET N канальный 28A 55V TO252 DPAK - это пятое поколение транзисторов, изготовленных по технологии HEXFET от фирмы International Rectifier. В этой технологии используются передовые возможности для достижения самого низкого сопротивления открытого транзистора.

Технические характеристики

• Маркировка на корпусе LR2705
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность 68 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток 16 В
• Максимальное пороговое затворное напряжение 2 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 28 A
• Общий заряд затвора 25 нКл
• Время нарастания 100нс
• Выходная емкость 220 пФ
• Максимальная температура канала +175 ° C
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,04 Ом
• Корпус TO252 DPAK