Транзистор STGP19NC60KD N канальный 35A 600V IGBT TO220
ХИТ
Транзистор STGP19NC60KD N канальный 35A 600V IGBT TO220 – эти быстрые транзисторы изготовлены по технологии PowerMESH™ фирмой STMicroelectronics. Эта технология позволяет гарантировать отличный компромисс между производительностью при переключении и низким уровнем питания для включения. Применяют в высокочастотных инверторах, приводах для двигателей и другой технике.
Характеристики
- Обозначение на корпусе GP19NC60KD
- Тип канала IGBT N-канальный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 600 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при +25 ° C, 35А
- Пороговое затворное напряжение 4,5 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт
- Максимальная температура перехода +150 ° С
- Выходная емкость 1170 пФ
- Рабочая температура -55... +150 ° C
- Тип корпуса TO220
