Транзистор HYG025N04NA1C2 MOSFET N канальный 190A 40V PDFN5X6-8L
ХИТ
Транзистор HYG025N04NA1C2 MOSFET N канальный 190A 40V PDFN5X6-8L - применяют в платах защиты литиевых аккумуляторов и в схемах для переключения нагрузки.
Основные параметры
- Обозначение на корпусе G025N04
- Тип транзистора MOSFET
- Тип канала управления N-канал
- Максимальная рассеиваемая мощность 130 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 40 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
- Пороговое напряжение включения 4 В
- Максимальный ток стока 190 А
- Максимальная температура канала 175° C
- Общий заряд затвора 122,2 нК
- Время нарастания 137,9 нс
- Выходная емкость 787 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,0018 Ом
- Тип корпуса PDFN5X6-8L
