Транзистор FQA19N60 MOSFET N канальный 18.5A 600V TO-3P

Транзистор FQA19N60 MOSFET N канальный 18.5A 600V TO-3P – эти транзисторы изготавливаются фирмой Fairchild по технологии DMOS. Эта передовая технология была специально адаптирована, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии, обеспечить быстрое переключение, высокую производительность и выдерживать импульсы высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах.

Предназначены для использования в инверторах DC-AC, источниках бесперебойного питания (UPS) для питания ЖК-панелей и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Соответствует стандарту RoHS.

Характеристики

• Обозначение на корпусе FQA19N60
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность 300Вт
• Максимальное напряжение сток-исток 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток 30 В
• Максимальное пороговое затворное напряжение 5 В
• Максимальный ток стока 18,5 A
• Максимальная рабочая температура +150 ° C
• Общий заряд затвора 70 нКл
• Максимальное сопротивление сток-исток на входе 0,38 Ом
• Рабочая температура -55 ... +150 º C
• Производитель IPS
• Корпус TO-3P