Транзистор FQPF5N60C MOSFET полярность N 4.5A 600V TO220F

Транзистор FQPF5N60C MOSFET полярность N 4.5A 600V TO220F - является силовым высоковольтным МОП-транзистором QFET® 600 В с режимом обогащения и использованием запатентованной технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология специально разработана для минимизации сопротивления в активном состоянии и обеспечения превосходных коммутационных характеристик и устойчивости к высоким импульсам энергии в лавинном и коммутационном режимах.

Этот элемент хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности и электронного балласта на основе полумостовой топологии. Этот продукт является универсальным и подходит для различных устройств.

Преимущества транзистора FQPF5N60C

• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь при включении
• Низкие потери проводимости

Характеристики

• Тип транзистора MOSFET
• Полярность N
• Максимальная мощность 33 Вт
• Гранично допустимое напряжение сток-исток 600 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Пороговое напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 4.5 A
• Максимальная температура канала 150°C
• Общий заряд затвора 15 нКл
• Время роста 42 нс
• Исходная емкость 55 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 2,5 Ом
• Тип корпуса TO220F