Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальный 40A 1200V IGBT TO247
ХИТ
Транзистор H20R1203 (H20R1202) N канальный 40A 1200V IGBT TO247 – используют в микроволновых печах, резонансных преобразователях, индукционных плитах и других устройствах.
IGBT транзистор – это довольно хитроумный прибор, представляющий собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества как полевого транзистора, так и биполярного.
Характеристики
- Наличие встроенного диода
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 ° C, 40 А
- Импульсный ток коллектора 60 А
- Напряжение насыщения при номинальном токе 1,7 В
- Максимальная рассеиваемая мощность 310 Вт
- Время задержки выключения при 25 ° C, 387 нс
- Рабочая температура -40 ... +175 ° C
- Минимальный статический коэффициент передачи тока h21е 30
- Вес 7,5 г
- Тип корпуса TO247
Силовые транзисторы IGBT и MOSFET стали основными элементами, применяемыми в мощных импульсных преобразователях. Их уникальные статические и динамические характеристики позволяют создавать устройства, способные отдать в погрузку десятки и даже сотни киловатт при минимальных габаритах и КПД, что превышает 95%.
