Транзистор MDF13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220F

Транзистор MDF13N50 MOSFET N канальный 13A 500V TO220F - эти высоковольтные транзисторы производятся с фирмой Magna Chip. Эти компоненты хорошо подходит для высокоэффективного источника питания в режиме переключения, в блоках питания с коэффициентом коррекции, электронных балластах ламп.

Технические характеристики транзистора

• Обозначение на корпусе MDF13N50
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 41 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 500 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Предельное напряжение включения 5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 13 А
• Максимальная температура канала +150 ° C
• Выходная емкость 1390 пФ
• Общий заряд затвора 33 нКл
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,5 Ом
• Тип корпуса TO220F