Транзистор STP20NM60FD MOSFET N канальный 20A 600V TO220

Транзистор STP20NM60FD MOSFET N канальный 20A 600V TO220 - это транзистор в котором применяется технология MDmesh™, которая идеально подходит для DC-DC преобразователей и синхронных выпрямителей для бытовых, телекоммуникационных, промышленных блоков питания.

MDmesh™ — это новая революционная технология для изготовления транзисторов MOSFET, объединяющая новейшие технологии при изготовлении от компании PowerMESH™. Этот электронный компонент имеет низкое сопротивление и достаточно высокое dv/dt и отличную лавину характеристику. Применение фирменной технологии обеспечивает общую динамическую производительность, которая значительно лучше, чем у аналогичных продуктов конкурентов. Фирменная технология MDmesh™ подходит для увеличения удельной мощности преобразователей высокого напряжения, что позволяет миниатюризировать систему и повысить эффективность электронных схем.

Технические характеристики транзистора STP20NM60FD

• Обозначение на корпусе P20NM60FD
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 192 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 600 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Предельное напряжение включения 5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 20 A
• Максимальная температура канала 150°C
• Общий заряд затвора 37 нКл
• Время нарастания 12нс
• Выходная емкость 500 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,29 Ом
• Тип корпуса TO220