Транзистор YGW40N65F1A1 N канальный 80A 650V IGBT TO247
Транзистор YGW40N65F1A1 N канальный 80A 650V IGBT TO247 – это высоковольтные быстрые транзисторы для силовых электронных схем. Применяют в источниках бесперебойного питания, инверторах, сварочной технике, преобразователях с высокой частотой коммутации.
IGBT транзистор – это довольно хитроумный прибор, представляющий собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества как полевого транзистора, так и биполярного.
Характеристики
- Наличие встроенного диода
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В
- Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25 ° C, 80 А
- Максимальный импульсный ток коллектора 120 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при +25 º С 1,8 В
- Пороговое напряжение затвора 4,9 В
- Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 В
- Максимальная рассеиваемая мощность 188 Вт
- Выходная емкость 2100 пФ
- Рабочая температура -40 ... +175 ° C
- Тип корпуса TO247
Преимущества
- Возможность легкого параллельного переключения
- Высокая прочность, температурная стабильность
- Высокая скорость переключения
- Улучшенная лавинная способность
- Повышенная надежность
- Низкий VCEsat
Силовые транзисторы IGBT и MOSFET стали основными элементами, применяемыми в мощных импульсных преобразователях. Их уникальные статические и динамические характеристики позволяют создавать устройства, способные отдать в погрузку десятки и даже сотни киловатт при минимальных габаритах и КПД, что превышает 95%.
