Транзистор IRFR024N MOSFET N канальный 17A 55V NPN TO252

Транзистор IRFR024N MOSFET N канальный 17A 55V NPN TO252 - это пятое поколение транзисторов HEXFET от фирмы International Rectifier. Эта фирма использовала в этих транзисторах передовые технологии с помощью которых достигнуто низкого сопротивления.

Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения позволяют применять такие транзисторы в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFR024N предназначен для поверхностного монтажа с помощью инфракрасного излучения или техники пайки волной.

Технические характеристики транзистора

• Обозначение на корпусе FR024N
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 45 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 55 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 17 A
• Максимальная температура канала 175 ° C
• Общий заряд затвора 20 нКл
• Время нарастания 34нс
• Выходная емкость 140 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,075 Ом
• Тип корпуса TO-252