Транзистор IRF9Z34N MOSFET P канальный 19A 55V TO220
ХИТ
Транзистор IRF9Z34N MOSFET P канальный 19A 55V TO220 - это пятое поколение технологии HEXFET от производителя International Rectifier, использующего передовые технологии производства для достижения чрезвычайного низкого сопротивления открытого транзистора. Эти преимущества в сочетании с высокой скоростью переключения и прочным корпусом делают технологию HEXFET Power хорошо известной во всем мире.
Благодаря этим характеристикам, эти электронные компоненты чрезвычайно эффективны и надежны для использования в широком спектре применений.
Характеристики
- Тип транзистора MOSFET
- Полярность P
- Максимальная рассеиваемая мощность 37 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
- Максимальное пороговое затворное напряжение 4 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 14 A
- Максимальная температура канала 175 ° C
- Общий заряд затвора 35 нКл
- Время нарастания 55 нс
- Выходная емкость 280 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,1 Ом
- Рабочая температура от -55 до 175 ° C
- Тип корпуса TO220
