Транзистор IPB65R110CFDA (65F6110A) MOSFET N-канальный 31,2 А 650 В TO263

Транзистор IPB65R110CFDA (65F6110A) MOSFET N-канальный 31,2 А 650 В TO263 — быстрый транзистор с диодом. Идеально подходит для DC-DC-преобразователей и синхронных выпрямителей для бытовых, телекоммуникационных и промышленных источников питания.

Технические характеристики транзистора IPP65R110CFDA

• Обозначение корпуса 65F6110A
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 277,8 Вт
• Максимально допустимое напряжение сток-исток 650 В
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Предел напряжения включения 4,5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 31,2 А
• Максимальная температура канала +150 ° C
• Общий заряд затвора 118 нКл
• Время нарастания 11 нс
• Выходная емкость 160 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора составляет 0,11 Ом
• Тип корпуса ТО-263