Транзистор FDP15N50 MOSFET N канальный 15A 500V TO220
ХИТ
Транзистор FDP15N50 MOSFET N канальный 15A 500V TO220 - применяют в высокоэффективных импульсных источниках питания SMPS, в источниках бесперебойного питания.
Технические характеристики транзистора FDP15N50
- Обозначение на корпусе FDP15N50
- Тип транзистора MOSFET
- Структура N
- Максимальная рассеиваемая мощность 300 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 500 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
- Предельное напряжение включения 4 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 15 A
- Максимальная температура канала +175 ° C
- Общий заряд затвора 76 нКл
- Время нарастания 5,4 нс
- Выходная емкость 230 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,38 Ом
- Тип корпуса TO220
