Транзистор FQP12N60 MOSFET N канальный 10.5A 600V TO220
ХИТ
Транзистор FQP12N60 MOSFET N канальный 10.5A 600V TO220 - предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях.
Технические характеристики транзистора
- Структура N
- Максимальная рассеиваемая мощность 180 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 600 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
- Предельное напряжение включения 5 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 10,5 A
- Максимальная температура канала 150 ° C
- Общий заряд затвора 42 нс
- Время нарастания 115 нс
- Выходная емкость 200 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,7 Ом
- Тип корпуса TO220
