Транзистор IPD053N08N3G MOSFET N канальный 90A 80V TO252 DPAK

Транзистор IPD053N08N3G MOSFET N канальный 90A 80V TO252 DPAK – применяют в высокочастотных изолированных преобразователях постоянного тока, инверторах, приводах к двигателям, блоках питания процессора компьютера. Также часто можно встретить в телекоммуникационном и промышленном оборудовании.

Технические характеристики

• Маркировка на корпусе 053N08N
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность 150 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток 80 В
• Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
• Максимальное пороговое затворное напряжение 3,5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 90 A
• Общий заряд затвора 52 нКл
• Время нарастания 66 нс
• Выходная емкость 963 пФ
• Максимальная температура канала +175 ° C
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,0053 Ом
• Корпус TO252 DPAK