Транзистор IPP023N10N5 MOSFET N канальный 120A 100V TO220
ХИТ
Транзистор IPP023N10N5 MOSFET N канальный 120A 100V TO220 - применяют в импульсных преобразователях напряжения, в синхронных выпрямителях.
Технические характеристики транзистора IPP023N10N5
- Обозначение на корпусе 023N10N5
- Тип транзистора MOSFET
- Структура N
- Максимальная рассеиваемая мощность 375 Вт
- Предельно допустимое напряжение сток-исток 100 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
- Предельное напряжение включения 3,8 В
- Максимально допустимый постоянный ток стока 120 A
- Максимальная температура канала +175 ° C
- Общий заряд затвора 168 нКл
- Время нарастания 26нс
- Выходная емкость 1810 пФ
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,0023 Ом
- Тип корпуса TO220
