Транзистор IRF5305 MOSFET P канальный 31A 55V TO220

Транзистор IRF5305 MOSFET P канальный 31A 55V TO220 - это пятое поколение полевых транзисторов, изготовленных по технологии HEXFET от фирмы International Rectifier. Эта передовая технология обеспечивает крайне низкое сопротивление в открытом состоянии. Транзисторы IRF5305 в корпусе TO-220 подходят для коммерческо та промышленных применений при рассеиваемой мощности до 50 Вт.

Технические характеристики

• Обозначение на корпусе IRF5305
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления P-канал
• Максимальная мощность рассеяния 110 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток 55 В
• Максимальное напряжение затвор-исток 20 В
• Максимальное пороговое затворное напряжение 4 В
• Максимальный ток стока 31 А
• Максимальная температура соединения 175 ° C
• Общий заряд затвора 63 нКл
• Время нарастания 66 нс
• Исходная емкость 520 пФ
• Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии 0,06 Ом
• Диапазон рабочих температур -55 ... +175 ° C
• Корпус TO220