Транзистор IRFP250N MOSFET N канальный 30A 200V TO247

Транзистор IRFP250N MOSFET N канальный 30A 200V TO247 - эти транзисторы пятого поколения изготовлены компанией International Rectifier по технологии HEXFET которая уменьшает сопротивление транзистора в открытом состоянии. Эти надежные транзисторы широко известны в различных сферах коммерческо-промышленного производства и различных электронных устройствах.

Характеристики

• Обозначение на корпусе IRFP250N
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность 214 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 200 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 30 А
• Максимальная температура канала 175 ° C
• Общий заряд затвора 123 нКл
• Время нарастания 43 нс
• Емкость сток-исток 315 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,075 Ом
• Тип корпус TO247