Транзистор IRFP460 MOSFET N канальный 20A 500V TO247
Транзистор IRFP460 MOSFET N канальный 20A 500V TO247 - предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Характеристики
- Канал N
- Максимальная рассеиваемая мощность 280 Вт
- Напряжение пробоя сток-исток 500 В
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток 10 В
- Предельное напряжение включения 4 В
- Постоянный ток стока, при температуре 25 ° C 20 А
- Постоянный ток стока, при температуре 100 ° C 13 А
- Максимальное тепловое сопротивление кристалл-корпус 0,45 ° C/Вт
- Диапазон рабочих температур от -55 до +150 ° C
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,27 Ом
- Тип корпуса TO247
Отличительные черты и преимущества транзистора IRFP460 полевого N-канального 20А 500В корпус TO247
Транзистор IRFP460 MOSFET N канальный 20A 500V TO247 изготовлен на основе пластины полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода ("сток" и "исток"), а управляющий электрод - затвор.
Изменяя полярность и уровень напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное – током через транзистор.
Поскольку транзистор называется "полевым", управление происходит электрическим полем, а не током базы, как и биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор IRFP460 MOSFET N канальный 20A 500V TO247 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора оказывает значительное сопротивление, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора IRFP460 полевого
При расчете усилительных каскадов необходимо выходить прежде всего из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRFP460 составляет 20А. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если требуется более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током "исток"-"сток".
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами сток и исток. При превышении этого параметра транзистор может "пробиться". Для этой модели транзистора максимальное напряжение составляет 500 В.
Также транзистор IRFP460 характеризуется напряжением отсечки на участке "затвор"-"исток". Этот показатель – предельное значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит мощность рассеивающегося транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, необходимо дополнительно учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFP460 следует учитывать:
- чувствительность к перегреву;
- высока вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Главный вариант – пайка с помощью паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулированием температуры.
Купить транзистор IRFP460 MOSFET N канальный 20A 500V TO247 в Ивано-Франковске можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Black Chip.
