​​​​​​​Транзистор CRST041N08NP MOSFET N канальный 120A 85V TO220

Транзистор CRST041N08NP MOSFET N канальный 120A 85V TO220 - в этом транзисторе использована передовая технология SkyMOS1 CRM(CQ).Отличный продукт QgxRDS(on) (FOM). Очень низкое сопротивление включению RDS(on).

Применение

• Управление двигателем и приводом
• Управление зарядными устройствами
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Технические характеристики

• Обозначение на корпусе CRST041N08NP
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 208 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 85 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 120 A
• Максимальная температура канала 150°C
• Общий заряд затвора 74 нКл
• Время нарастания 53нс
• Выходная емкость 1480 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,0041 Ом
• Тип корпуса TO220