Транзистор FQPF13N50C MOSFET N канальный 13A 500V TO220F

Транзистор FQPF13N50C MOSFET N канальный 13A 500V TO220F - эти высоковольтные транзисторы производятся по фирменной технологии Fairchild. Эта передовая технология была специально разработана, чтобы минимизировать сопротивление транзистора в открытом состоянии, обеспечить превосходное переключение, высокую производительность и выдерживать импульс высокой энергии в лавинном и коммутационных режимах. Эти компоненты хорошо подходит для высокоэффективных импульсных источников питания, активной коррекции коэффициента мощности, электронных балластов ламп на основе полумостовой схемотехники.

Технические характеристики транзистора

• Обозначение на корпусе FQPF13N50C
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 48 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 500 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 13 А
• Максимальная температура канала +150 ° C
• Выходная емкость 1580 пФ
• Общий заряд затвора 56 нКл
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,48 Ом
• Тип корпуса TO220F