Транзистор FQPF5N90C MOSFET N канальный 3A 900V TO220F

Транзистор FQPF5N90C MOSFET N канальный 3A 900V TO220F - эти транзисторы изготавливаются по запатентованной технологии фирмы Fairchild, технология DMOS. Эта передовая технология была специально адаптирована, чтобы минимизировать сопротивление в открытом состоянии, обеспечить превосходное переключение производительности и выдерживать импульс высокой энергии в лавинном и коммутационном режиме. Эти устройства хорошо подходят для высокоэффективного источника питания в режиме переключения.

Технические характеристики транзистора

• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 51 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 900 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Предельное напряжение включения 5 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 3 A
• Максимальная температура канала 150°C
• Общий заряд затвора 31 нК
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 2,3 Ом
• Тип корпуса TO220F