Транзистор IRF10N40 MOSFET N канальный 10A 400V TO220

Транзистор IRF10N40 MOSFET N канальный 10A 400V TO220 - в этом высоковольтном МОП-транзисторе используется усовершенствованная технология для обеспечения улучшенной способности блокировки напряжения без ухудшения производительности со временем. Кроме того, это усовершенствованный MOSFET разработан, чтобы выдерживать высокую энергию в лавинном и коммутационном режимах.

Транзистор IRF10N40 MOSFET N канальный TO220 рассчитан на высокое напряжение и высокую скорость. Применяют в коммутационных электронных схемах в источниках питания, преобразователях с ШИМ управления двигателем. Эти устройства особенно хорошо подходит для мостовых схем, где скорость диода и переключения будут в безопасных рабочих зонах и критически важным когда требуется дополнительный запас безопасности от высокого напряжения при переходных процессах.

Технические характеристики транзистора

• Тип транзистора MOSFET
• Полярность N
• Максимальная рассеиваемая мощность 125 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 400 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Пороговое напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 10 А
• Максимальная температура канала +150 ° C
• Общий заряд затвора 63 нК
• Входная емкость 1570 пФ
• Выходная емкость 230 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,55 Ом
• Тип корпуса TO-220