Транзистор IRF2805 MOSFET N канальный 175A 55V TO220

Транзистор IRF2805 MOSFET N канальный 175A 55V TO220 - это быстрый и надежный транзистор был специально разработан для применения в автомобильных системах и других электронных устройствах. В этом HEXFET® Power MOSFET транзисторе используют новые технологии изготовления для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии.

Сферы применения: климат контроль, ABS, электронное торможение, стеклоочистители.

Технические характеристики транзистора

• Структура N
• Максимальная рассеиваемая мощность 330 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 55 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 20 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 175 A
• Максимальная температура канала 175 ° C
• Общий заряд затвора 150 нКл
• Время нарастания 120 нс
• Выходная емкость 1190 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 0,0047 Ом
• Тип корпуса TO220