Транзистор TK6A65D MOSFET N канальный 6A 650V TO220F

Транзистор TK6A65D MOSFET N канальный 6A 650V TO220F - предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах, преобразователях и зарядных устройствах.

Технические характеристики транзистора

• Обозначение на корпусе TK6A65D
• Тип транзистора MOSFET
• Тип канала управления N-канал
• Максимальная рассеиваемая мощность 45 Вт
• Предельно допустимое напряжение сток-исток 650 В
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток 30 В
• Предельное напряжение включения 4 В
• Максимально допустимый постоянный ток стока 6 A
• Максимальная температура канала +150 ° C
• Общий заряд затвора 20 нК
• Время нарастания 25 нс
• Выходная емкость 100 пФ
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора 1,11 Ом
• Тип корпуса TO220F