Транзистори
Транзистор NCE60H15 MOSFET полярність N 150A 60V TO220
Транзистор NCE60H15 MOSFET полярність N 150A 60V TO220 - цей N-канальний MOSFET транзистор виготовлено за допомогою сучасної технології, яка використовує передову технологію для забезпеч..
30.00 грн.
Транзистор NCE75H14 MOSFET полярність N 140A 75V TO220
Транзистор NCE75H14 MOSFET полярність N 140A 75V TO220 - цей N-канальний MOSFET транзистор виготовлено за допомогою сучасної технології, яка використовує передову технологію для забезпеч..
30.00 грн.
Транзистор NCE82H110 MOSFET N канальний 110A 82V TO220
Транзистор NCE82H110 MOSFET N канальний TO220 - призначений для використання в джерелах вторинного електроживлення, в регуляторах, стабілізаторах і перетворювачах. Технічні харак..
35.70 грн.
Транзистор NCEP01H13 (NCEP01T13) MOSFET полярність N 13...
Транзистор NCEP01H13 (NCEP01T13) MOSFET полярність N 130A 100V TO220 - цей N-канальний MOSFET транзистор виготовлено за допомогою сучасної технології, яка використовує передову технологі..
35.00 грн.
Транзистор NCEP15T14 MOSFET N канальний 140A 150V TO220...
Транзистор NCEP15T14 MOSFET N канальний 140A 150V TO220 - в цих транзисторах застосована технологія Super Trench, вона оптимізована для забезпечення найбільш ефективної продукт..
52.00 грн.
Транзистор NDS351AN (351AU 351A) MOSFET N канальний 1.2...
Транзистор NDS351AN (351AU 351A) MOSFET N канальний 1.2A 30V SuperSOT-3 - ці транзистори розроблені компанією Advanced Fairchild Semiconductor яка застосовує технологію PowerTrench...
6.00 грн.
Транзистор OST80N65HM N канальний 114A 650V IGBT TO247
Транзистор OST80N65HM N канальний 114A 650V IGBT TO247 - в цих транзисторах використовується передова запатентована передова технологія Oriental-Semi (TGBTTM). Ця технологія розробл..
270.00 грн.
Транзистор R4383 MOSFET N канальний 16.9A 60V TO252 DPA...
Транзистор R4383 MOSFET N канальний 16.9A 60V TO252 DPAK - застосовують в перетворювачах постійного струму, інверторах, приводах до двигунів. Технічні характеристики Маркування ..
55.00 грн.
Транзистор RJH3047 N канальний з діодом 50A 330V IGBT T...
Транзистор RJH3047 N канальний з діодом 50A 330V IGBT TO-3P - транзистори застосовують в різних схемах силової радіотехніки. Характеристики Максимальна напруга 330 В Максимальн..
60.00 грн.
Транзистор RJH60F5 N канальний 80A 600V IGBT TO247
Транзистор RJH60F5 N канальний 80A 600V IGBT TO247 - призначені для застосування в різних схемах силової електроніки як потужні ключі. IGBT транзистор - це досить хитромудрий при..
130.00 грн.
Транзистор RU6888R3 MOSFET полярність N 88A 68V TO220
Транзистор RU6888R3 MOSFET полярність N 88A 68V TO220 - застосовують для ремонту блоків живлення електро самокатів, гіроскутерів та міні-сигвеїв. Характеристики Тип транзис..
28.80 грн.
Транзистор RU7088R MOSFET N канальний 80A 70V TO220
Транзистор RU7088R MOSFET N канальний 80A 70V TO220 - це польовий транзистор, який може бути використаний у сфері керування живленням джерел безперебійного живлення та інверторних с..
26.00 грн.
Транзистор RU7588R MOSFET N канальний 80A 75V TO220
Транзистор RU7588R MOSFET N канальний 80A 75V TO220 - це низьковольтні транзистори, які часто використовують в автомобільній промисловості, DC/DC перетворювачах і високоефективних п..
27.00 грн.
Транзистор RU75N08R MOSFET N канальний 80A 75V TO220
Транзистор RU75N08R MOSFET N канальний 80A 75V TO220 - використовують в пристроях з низькою напругою, наприклад, в автомобільній промисловості, DC/DC перетворювачах і високоефективн..
23.00 грн.
Транзистор S8050 (J3Y) біполярний 0.5A 25V NPN SOT23
Транзистор S8050 (J3Y) біполярний 0.5A 25V NPN SOT23 - застосовують в електронних схемах різноманітних галузей. Характеристики Маркування J3Y Структура NPN Схема з'єднан..
1.50 грн.
Транзистор S8050 кремнієвий біполярний 0.5A 25V NPN TO9...
Транзистор S8050 кремнієвий біполярний 0.5A 25V NPN TO92 - малопотужний високочастотний npn транзистор. Застосовується в радіо приймачах (передавачах). Характеристики Тип матеріалу&n..
1.50 грн.