Транзистори
Транзистор S80N08R MOSFET N канальний 80A 80V TO220
Транзистор S80N08R MOSFET N канальний 80A 80V TO220 - цей силовий MOSFET транзистор виготовлено з використанням передової технології Trench MOS фірмою Si-Tech. Ця новітня техно..
55.00 грн.
Транзистор S8550 (2TY) біполярний 0.5A 25V PNP SOT23
Транзистор S8550 (2TY) біполярний 0.5A 25V PNP SOT23 - застосовують в електронних схемах різноманітних галузей. Характеристики Маркування 2TY Структура PNP Схема з'єднан..
1.50 грн.
Транзистор S8550 кремнієвий біполярний 0.5A 25V PNP TO9...
Транзистор S8550 кремнієвий біполярний 0.5A 25V PNP TO92 - високочастотні підсилювальні, структури - PNP. Максимальна потужність, що розсіюється 0.3 Вт Характеристики Тип м..
1.50 грн.
Транзистор S9011 біполярний 0.03A 30V TO92 NPN
Транзистор S9011 біполярний 0.03A 30V TO92 NPN - це низьковольтний високочастотний транзистор, якого застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Тип матеріал..
1.70 грн.
Транзистор S9012 (2T1) біполярний 0.5A 25V PNP SOT23
Транзистор S9012 (2T1) біполярний 0.5A 25V PNP SOT23 - широко застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Маркування 2T1 Тип матеріалу Si Структура PNP Макс..
1.50 грн.
Транзистор S9012 біполярний PNP 0.5A 25V TO92
Транзистор S9012 біполярний PNP 0.5A 25V TO92 - кремнієвий, високочастотний, підсилювальний, структури PNP. Характеристики Тип матеріалу Si Полярність PNP Максимал..
1.80 грн.
Транзистор S9013 (J3) біполярний 0.5A 25V NPN SOT23
Транзистор S9013 (J3) біполярний 0.5A 25V NPN SOT23 - широко застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Маркування J3 Тип матеріалу Si Структура NPN Максим..
1.50 грн.
Транзистор S9013 біполярний 0.5A 25V NPN TO92
Транзистор S9013 біполярний 0.5A 25V NPN TO92 - кремнієвий, високочастотний підсилювальний, структури NPN. Характеристики Тип матеріалу Si Полярність NPN Макс..
1.80 грн.
Транзистор S9014 (J6 1F T04 L6) біполярний 0.1A 45V NPN...
Транзистор S9014 (J6 1F T04 L6) біполярний 0.1A 45V NPN SOT23 - широко застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Маркування J6 1F T04 L6 Тип матеріалу Si..
1.50 грн.
Транзистор S9014 біполярний 0.1A 45V NPN TO92
Транзистор S9014 біполярний 0.1A 45V NPN TO92 - малопотужний високочастотний npn транзистор низьким рівнем шумів і хорошою лінійністю. Характеристики Тип матеріалу Si Полярніс..
1.60 грн.
Транзистор S9015 (M6) біполярний 0.1A 45V PNP SOT23
Транзистор S9015 (M6) біполярний 0.1A 45V PNP SOT23 - широко застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Маркування M6 Тип матеріалу Si Структура PNP Максим..
1.60 грн.
Транзистор S9015 біполярний 0.1A 45V PNP TO92
Транзистор S9015 біполярний 0.1A 45V PNP TO92 - це планарний, високочастотний транзистор, застосовують в різноманітних схемах. Характеристики Тип матеріал Si Полярність P..
1.60 грн.
Транзистор S9018 (J8) біполярний 0.05A 15V NPN SOT23
Транзистор S9018 (J8) біполярний 0.05A 15V NPN SOT23 - широко застосовують в різноманітних низьковольтних електронних схемах. Характеристики Маркування J8 Тип матеріалу Si Структ..
1.60 грн.
Транзистор S9018 біполярний 0.05A 15V TO92 NPN
Транзистор S9018 біполярний 0.05A 15V TO92 NPN - це низьковольтний високочастотний транзистор, який застосовують в різноманітних електронних схемах. Характеристики Тип матеріалу..
1.60 грн.
Транзистор SGH40N60UFD (G40N60D) N канальний 40A 600V I...
Транзистор SGH40N60UFD (G40N60D) N канальний 40A 600V IGBT TO-3P - це серія транзисторів Fairchild UFD з ізольованим затвором (IGBT) забезпечують низькі втрати провідності та високу..
45.00 грн.
Транзистор SGH40N60UFD (G40N60UFD) N канальний 40A 600V...
Транзистор SGH40N60UFD (G40N60UFD) N канальний 40A 600V IGBT TO-3P - це серія транзисторів Fairchild UFD з ізольованим затвором (IGBT) забезпечують низькі втрати провідності та висо..
120.00 грн.