Транзистор FTW20N50A MOSFET N канальний 20A 500V TO-3P
Транзистор FTW20N50A MOSFET N канальний 20A 500V TO-3P - це кремнієвий N-канальний транзистор, отриманий за допомогою планарної технології яка зменшує втрати провідності, покращує комутацію та продуктивність та підвищення енергії в лавинному режимі. Транзистор може використовуватися в різних силових електронних схемах в режимі ключа для мініатюризації та кращої ефективності.
Форма упаковки є TO-3P(N), що відповідає стандарту RoHS.
Характеристики
- Позначення на корпусі FTW20N50A
- Тип транзистора MOSFET
- Канал N - канальний
- Максимальна потужність, що розсіюється 220 Вт
- Максимальна напруга стік-витік 500 В
- Гранично допустима напруга затвор-витік 30 В
- Максимальна порогова напруга затвора 4 В
- Постійний струм стоку, при температурі = 25 ° C 20 А
- Діапазон робочих температур від -55 до +150 ° C
- Загальний заряд затвора 130 нКл
- Час наростання 145 нс
- Вихідна ємність 350 пФ
- Опір стік-витік відкритого транзистора 0,3 Ом
- Тип корпусу TO-3P
Змінюючи полярність і рівень прикладеної напруги до затвора, можна управляти звуженням або розширенням каналу, внутрішнім опором, найголовніше - струмом через транзистор.
Оскільки транзистор називається "польовим", управління проводиться електричним полем, а не струмом бази, як в біполярному транзисторі. Це дозволяє не витрачати додаткову енергію.
