Транзистор NCE01H11 MOSFET полярність N 110A 100V TO220

Транзистор NCE01H11 MOSFET полярність N 110A 100V TO220 - цей N-канальний MOSFET транзистор виготовлено за допомогою сучасної технології, яка використовує передову технологію для забезпечення чудового RDS(ON) із низьким зарядом затвора. Його можна використовувати в широкому спектрі електронних схем. Ці транзистори добре працюють в лавинному режимі.

Хороша стабільність та однорідність із високим EAS.

Застосовують в перетворювачах живлення, для комутації сигналів у високочастотних електронних схемах, в джерелах безперебійного живлення.

Характеристики

• Позначення на корпусі NCE01H11
• Тип транзистора MOSFET
• Полярність N
• Максимальна потужність, що розсіюється 220 Вт
• Гранично допустима напруга стік-витік 100 В
• Гранично допустима напруга затвор-витік 20 В
• Максимальна порогова напруга затвора 4 В
• Максимально допустимий постійний струм стоку 110 А
• Максимальна температура каналу 175 ° C
• Загальний заряд затвора 163 нКл
• Час наростання 24 нс
• Вихідна ємність 380 пФ
• Опір стік-витік відкритого транзистора 0,009 Ом
• Корпус TO220
• Виробник NCE