Транзистор IRF2805 MOSFET N канальний 175A 55V TO220

Транзистор IRF2805 MOSFET N канальний 175A 55V TO220 - це швидкий та надійний транзистор був спеціально розроблений для застосування в автомобільних системах та інших електронних пристроях. В цьому HEXFET® Power MOSFET транзисторі використовують новітні технології виготовлення для досягнення надзвичайно низького опору у відкритому стані.

Сфери застосування: клімат контроль, ABS, електронне гальмування, склоочисники.

Технічні характеристики транзистора

• Структура N
• Максимальна потужність, що розсіюється 330 Вт
• Гранично допустима напруга стік-витік 55 В
• Гранично допустима напруга затвор-витік 20 В
• Гранична напруга включення 4 В
• Максимально допустимий постійний струм стоку 175 A
• Максимальна температура каналу 175 ° C
• Загальний заряд затвора 150 нКл
• Час наростання 120 нс
• Вихідна ємність 1190 пФ
• Опір стік-витік відкритого транзистора 0,0047 Ом
• Тип корпусу TO220