Транзистор IPB65R110CFDA (65F6110A) MOSFET N канальний 31.2A 650V TO263

Транзистор IPB65R110CFDA (65F6110A) MOSFET N канальний 31.2A 650V TO263 - це швидкий транзистор в якому присутній діод. Ідеально підходить для DC-DC перетворювачів і синхронних випрямлячів для побутових, телекомунікаційних, промислових блоків живлення.

Технічні характеристики транзистора IPP65R110CFDA

• Позначення на корпусі 65F6110A
• Тип транзистора MOSFET
• Структура N
• Максимальна потужність, що розсіюється 277,8 Вт
• Гранично допустима напруга стік-витік 650 В
• Гранично допустима напруга затвор-витік 20 В
• Гранична напруга включення 4,5 В
• Максимально допустимий постійний струм стоку 31,2 A
• Максимальна температура каналу +150 ° C
• Загальний заряд затвора 118 нКл
• Час наростання 11 нс
• Вихідна ємність 160 пФ
• Опір стік-витік відкритого транзистора 0,11 Ом
• Тип корпусу TO-263