Транзистор IPP60R190P6 (6R190P6) MOSFET N канальний 20.2A 600V TO220F

Транзистор IPP60R190P6 (6R190P6) MOSFET N канальний 20.2A 600V TO220F - це високовольтні польові транзистори, які виготовлені за допомогою революційної технології CoolMOS™. Цю технологію розробила компанія InfineronTechnologies.

Використовують в каскадах жорсткого перемикаття PWM, каскадах резонансного перемикання, LCD і PDPTV, серверах, телекомунікації і безперебійних блоках живлення.

Забезпечені сертифікатом для промислового застосування відповідно до JEDEC (J-STD20 і JESD22)

Характеристики

• Позначення на корпусі 6R190P6
• Тип транзистора MOSFET
• Полярність N
• Максимальна потужність, що розсіюється 151 Вт
• Гранично допустима напруга стік-витік 600 В
• Максимальна напруга затвор-витік 20 В
• Максимальна порогова напруга затвора 4,5 В
• Максимально допустимий постійний струм стоку 20,2 A
• Максимальна температура каналу 150 ° C
• Загальний заряд затвора 37 нКл
• Час наростання 8 нс
• Вихідна ємність 76 пФ
• Опір стік-витік відкритого транзистора 0,19 Ом
• Робоча температура від -55 до 150 ° C
• Тип корпусу TO220F