Транзистор IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247
Транзистор IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247 - ці транзистори п'ятого покоління виготовлені компанією International Rectifier за технологією HEXFET яка зменшує опір транзистора у відкритому стані. Ці надійні транзистори широко відомі в різноманітних сферах комерційного-промислового виробництва та різних електронних пристроях.
Опис товару Транзистор IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247
- Позначення на корпусі IRFP260N
- Тип транзистора MOSFET
- Тип каналу керування N-канал
- Максимальна потужність, що розсіюється 300 Вт
- Гранично допустима напруга стік-витік 200 В
- Гранично допустима напруга затвор-витік 20 В
- Гранична напруга включення 4 В
- Максимально допустимий постійний струм стоку 50 А
- Максимальна температура каналу +175 ° C
- Загальний заряд затвора 234 нКл
- Час наростання 60 нс
- Ємність стік-витік 603 пФ
- Опір стік-витік відкритого транзистора 0,04 Ом
- Тип корпус TO247
Відмінні риси та переваги транзистора IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247
Транзистор IRFP260N польовий N-канальний 200V 50A корпус TO-247AC виготовлений на пластині напівпровідника N-типу.
Як і в біполярному транзисторі, з двох сторін до пластини приєднані два виводи ("стік" і "витік"), а електрод, що управляє, - затвор.
Змінюючи полярність і рівень напруги до затвора, можна керувати звуженням або розширенням каналу, внутрішнім опором, найголовніше - струмом через транзистор.
Оскільки транзистор називається "польовим", відкривається напругою, а не струмом через базу, як у біполярному транзисторі. Це дозволяє не витрачати додаткову енергію.
Транзистор IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247 допускає підключення трьома способами: із загальним затвором, із загальним стоком, із загальним витоком.
Вхід польового транзистора має значний опір, що дозволяє підключати високоомне джерело електричних коливань.
Основні параметри транзистора IRFP260N польового
При розрахунку підсилювальних каскадів, необхідно виходити насамперед зі струму, споживаного навантаженням.
Максимальний струм для польового транзистора IRFP260N складає 50A. У разі перевищення цього струму транзистор може вийти з ладу.
Якщо потрібний потужніший напівпровідниковий прилад, слід купити польовий транзистор з більшим вихідним струмом "витік"-"стік".
Другим за значимістю параметром польового транзистора є напруга між виводами "стік" та "витік". При перевищенні цього параметра транзистор може "пробитися". Для даної моделі напруга становить 200 В.
Також транзистор IRFP260N характеризується напругою відсічення на ділянці "затвор"-"виток". Цей показник – граничне значення, у якому струм через канал транзистора повністю припиняється.
Від струму через транзистор і опору каналу залежить потужність транзистора, що розсіюється.
Якщо транзистор планується встановлювати в високочастотні схеми, додатково необхідно враховувати вхідну ємність і час перемикання.
При проєктуванні схем із застосуванням польового транзистора IRFP260N слід враховувати:
- Чутливість до перегріву;
- Високу ймовірність пробою від впливу статичної електрики.
У зв'язку з цим при паянні польового транзистора слід використовувати засоби заземлення.
Переважний варіант - паяння за допомогою паяльника із заземленням та регулюванням температури.
Однак найкращим розв'язанням питання було б застосування паяльної станції, паяльник у якій гальванічно розв'язаний від мережі, забезпечений антистатичним захистом та регулюванням температури.
Купити транзистор IRFP260N MOSFET N канальний 50A 200V TO247 в Івано-Франківську можна зробивши замовлення через кошик сайту Інтернет-магазину Black Chip.
